碳化硅添加对氮化硅转化为碳化硅晶粒形貌影响.PDFVIP

第41卷第1期 武 汉 工 程 大 学 学 报 Vol.41 No.1 2019年2月 JournalofWuhanInstituteofTechnology Feb. 2019 武汉工程大学学报 第41卷 文章编号：1674-2869（2019）01-0060-05 碳化硅添加对氮化硅转化为碳化硅晶粒形貌的影响 * 梁 欣，陈常连 ，周诗聪，季家友，朱 丽，黄志良，徐 慢 武汉工程大学材料科学与工程学院，湖北 武汉 430205 摘 要：以氮化硅（SiN ）、石墨为原料，碳化硅（SiC）为添加剂，利用SiN 转化法制备出形貌变化的等轴状 3 4 3 4 和长柱状SiC晶粒，采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及能量色散X射线谱对产物的结构与微观形貌进 行了表征，重点研究了SiC添加量对SiC形貌的影响及其影响机理。结果表明，SiC的添加有助于SiN 转化 3 4 为α-SiC，并影响其形貌和尺寸。随着SiC添加量的增加，制得的SiC晶粒由长柱状转变为等轴状，晶粒的尺 寸也急剧减小。高温条件下，SiN 首先分解为硅蒸气和氮气，硅蒸气又与石墨发生气-固反应生成小晶粒 3 4 的SiC，继而发生重结晶。碳化硅的添加导致晶粒缺陷也增多，由于气态硅蒸气可在晶粒缺陷处重结晶，使 SiC晶粒的取向生长得到抑制，促进了等轴状SiC晶粒的生成。 关键词：氮化硅；碳化硅；晶粒形貌；重结晶 中图分类号：TB321 文献标识码：A doi：10.3969/j.issn. 1674⁃2869.2019.01.009 EffectofAdditionofSiliconCarbideon MorphologyofSiliconCarbideGrainsTransformedfromSiliconNitride * LIANG Xin ，CHEN Changlian ，ZHOU Shicong ，JI Jiayou ，ZHU Li ，HUANG Zhiliang ，XU Man SchoolofMaterialsScienceandEngineering，WuhanInstituteofTechnology，Wuhan 430205，China Abstract：Silicon carbide（SiC）grains with different morphologies such as equiaxed crystal and columnar crystal were prepared through the silicon nitride （SiN ）transformation using SiN and graphite as raw 3 4 3 4 materials，SiCasanadditive.Scanningelectronmicroscopy，X-rayenergydispersivespectroscopyandX-ray diffractionwereusedtocharacterizethestructu