第4章 内存储器接口的基本技术.ppt

线选译码 不用译码器，直接用地址线作为片选信号。 地址重叠：一个存储单元对应多个地址 问：可否A14A13=00? 74LS158 74LS158：二选一选择器 控制 S 输入 1A～4A，1B～4B 输出 1Y～4Y L X Y = A H X Y = B DRAM存储器的连接 行列地址形成电路 教材Page 136 DRAM存储器的连接 RAS＃和CAS＃信号产生电路 教材Page 137 DRAM存储器的连接 刷新电路：以DMA控制方式进行DRAM刷新。 存储器与CPU接口的一般问题 存储芯片的选用和地址分配 CPU总线的负载能力 通常CPU总线的负载能力是一个TTL器件或20个MOS器件。 一般小型系统中，CPU可直接与存储器芯片相连。 较大系统中，当总线负载数超过限定时应加接驱动器。 地址线、控制线时是单向的，故采用单向驱动器，如74LS244，Intel8282等；而数据线是双向传动的，故采用双向驱动器，如74LS245、Intel8286/8287等。 存储器与CPU之间的时序配合 选用存储芯片时，必须考虑它的存取速度和CPU速度的匹配问题，即时序配合。 为了使CPU能与不同速度的存储器相连接，一种常用的方法是使用“等待申请”信号。该方法是在CPU设计时设置一条“等待申请”输入线。 本章内容 半导体存储器 半导体存储器接口的基本技术 16位系统中的内存储器接口 8086存储系统 数据总线16位，要求一次既可以访问一个字节，又可以访问一个字。 奇偶分体：BHE#和BLE#（A0） 8088存储系统（512KB） 小结 典型SRAM/DRAM/EEPROM芯片 位扩展、字扩展 地址译码、地址空间 DRAM的连接 16位系统中的内存接口 作业：4.3，4.4（教材146页） * FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据，U盘和MP3里用的就是这种存储器。近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。 * 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样，所以互相连接时需要电平的转换。 U盘是采用flash memory（也称闪存）存储技术的USB设备。 * Fast Page Mode，快页模式：较早的个人计算机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。 Extended Data Out，扩展数据输出：取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间。 * DIMM：dual in-line memory module，双列直插式存储模块。 SIMM：single in-line memory module，单边接触内存模组。 DDR SDRAM有两个时钟，一个是外部的总线时钟，一个是内部的工作时钟，在理论上DDR SDRAM这两个时钟应该是同步的，但实际上很难。DLL的任务就是根据外部时钟动态修正内部时钟的延迟来实现与外部时钟的同步。 * 所谓2bit预取：即芯片内部总线位宽=2×芯片位宽（也可称为芯片I/O总线位宽）的设计方式。有的公司则贴切的称之为2-n Prefetch（n代表芯片位宽）。 * MO（Magnetic Optical：磁光盘） * 行地址、列地址分两次送入。 * * 可否A14A13=00? 字扩展时，为10或01；位扩展时，为00。 * 4164 DRMA芯片，4组，每组64KB，攻击256KB容量。 控制端S接信号ADDRSEL。当#XMEMR活#XMEMW有效时（存储器读或写），ADDRSEL信号先为低电平，过60ns为高电平，则74LS158先输出A路信号，即行地址；后输出B路信号，即列地址。 第4章 内存储器接口的基本技术 本章内容 半导体存储器芯片 了解各类半导体存储器的应用特点，掌握典型SRAM、DRAM、EPROM芯片的结构、工作原理。 半导体存储器接口的基本技术 掌握半导体存储芯片与微处理器的连接方法，包括译码、片选等。 16位系统中的内存储器接口 了解存储芯片与微处理器之间的总线驱动和时序配合等问题。 存储器的分类 内存：内存储器 外存：外存储器（辅助存储器，辅存） 内存储器 外存储器 RAM ROM SARM DRAM PROM EPROM EEROM 闪速存储器 磁盘 光盘 软盘 硬盘 CD DVD MO 存储器 半导体存储器的分类 从器件组成的角度来分类 单极型存储器（MOS电路） 双极型存储器（TTL电路） 从存储器工作特点、作用和制作工艺的角度来分类 RAM：SRAM，DRAM ROM：P