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第一章绪论
第一章绪论
1．1引言
相比于金属材料，半导体纳米材料的德布罗意波长较长【11。当空间某一尺度与电子
的德布罗意波长相比拟时，电子的运动就会受限，表现出量子化效应，在某一维度上尺
度在纳米级的半导体材料，被称为半导体纳米材料【21。其中宽禁带半导体纳米材料如
ZnO，由于其制备工艺较为简单、所需成本也较低、化学性质较为稳定以及毒性较低等
特性，使其在太阳能电池【31、发光二极管【41、激光剁51等方面均具有较为广泛的应用。
1．2ZnO的结构与性质
1．2．1
ZnO的结构
ZnO是一种宽带隙半导体材料，自然界中ZnO的存在形态有三大类，即四方岩盐
矿、六角纤锌矿和闪锌矿三类结构。因为六角纤锌矿结构是最稳定的一种形态，因此实
ZnO是一种酸碱氧化物，即既可以溶于弱酸也可溶于弱碱【8】。六角纤锌矿结构的ZnO
的示意图如图1．1所示【91。
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图1—1ZnO晶体结构示意图【9】
The structureofZnO【9】
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纤锌矿结构的ZnO具有空间对称性，其对称轴为C轴，ZnO的空间群属于P63
第一章绪论
每个Zn(O)原子周围有四个0(Zn)原子包围，相互构成正四面体。由于C轴方向
的原子之间的距离与其他三个方向的不同，因此纤锌矿结构的ZnO在空间上并不是绝
对对称的，并且其稳定性也是相对于四方岩盐矿和闪锌矿结构而言的。
1．2．2
ZnO的主要性质及应用
ZnO是一种宽带隙半导体材料，其常温下激子束缚能高达60meV[10】，因此在常温
下就可以实现激子复合。ZnO纳米材料的发光包括紫外发光【11】和可见发光【12】，紫外发
光是由于激子复合或者带隙间电子空穴对的复合所产生，可见发射是与ZnO带隙中缺
陷能级上的电子或者空穴有关。已有的报道显示，ZnO中存在多种缺陷【l31，图1．2所示，
位锌(Zno)。采用不同的实验方法所制备的ZnO的缺陷种类不同，并且所形成的缺陷
浓度也不相同。例如，2011年P．K．GIRI掣14】采用气相沉积法合成的ZnO纳米结构，
在光谱中出现了较宽的绿光发射，并且随着温度的升高，绿光发射逐渐增强，这是由于
高温下出现了更多的与绿光发射相关的氧空位，即形成了高浓度的氧空位缺陷。2006
年z．W．Liu等【15】采用激光脉冲法制备的ZnO纳米棒，其缺陷发光强度随着氧压的增加
而增强，他们认为是与纳米棒的粒径及表面态有关的。有些课题组还发现不同的合成方
Xue小组【l6】采用化学沉淀法制备的ZnO，
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