电子与材料200205p071锺朝安浅谈相变化记忆体.doc

TITLE from: SUBJECT ITRI-ITIS-MEMS- AUTHOR Rational You: RationalYou@ 【 FILENAME \p C:\Documents and Settings\820509\My Documents\■●★--.doc】All: NUMPAGES 18 pages( TIME \@ yyyy/M/d 2002/3/27)【PAGE2 】 淺談相變化記憶體● 〈( 〈(工研院電子工業研究所半導體元件技術組先進元件技術部工程師)鍾朝安〉《淺談相變化記憶體》〔電子與材料2002/05p71~79〕 關鍵詞﹕相變化(Phase Change)﹔硫屬化合物(Chalcogenide)﹔非揮發性(Non-Volatile)、記憶體(Memory)﹔結晶態(Crystalline State)﹔非晶態(Amorphous State)、電阻值(Resistance)。 摘要﹕隨著電腦的速度越來越快﹐記憶體的速度、穩定性及成本都將決定這個產業的未來發展﹐其中非揮發性記憶(Non-Volatile)的要求就日益重要﹐在幾種有發展潛力的產品(例如﹕MRAM 、FRAM、相變化記憶體)中﹐相變化記憶體是被認為進入門檻較低﹐且比較有希望很快被產品化的一種。以下將簡單介紹相變化記憶體的操作、原理、特性、優點、發展近況。 TOC \o 1-7 \h \z 淺談相變化記憶體● 1 (A) 相變化記憶體的起源 2 (1) 相變化記憶體 2 (2) Chalcogenide (硫屬化合物)…Ovonic Switch 2 (3) 導電率會巨幅增加到106倍 2 (4) 相變化…半導體記憶體 2 (5) 相變化記錄材料﹕Ge-Sb-Te、In-Ag-Sb-Te 2 ◆表一﹕常見相變化記憶體研究材料 3 (6) 可擦拭相變化型記憶體﹕共晶▲組成的碲▲基合金 3 ◆圖一﹕相變化材料之結晶型態與物性的關係 3 (7) 長鏈狀的-Te-Te-Te-結構 4 (8) Stoichiometric Compound (計量比化合物) 4 (9) 相變化記錄媒體之材料需求﹕(五種) 4 ◆表二﹕相變化記錄媒體之材料需求 4 (B) 相變化記憶體的性能 5 (1) 寫入能力﹕結晶溫度約為熔點的1/3~2/3 (例如﹕150℃／600℃) 5 (2) 資料穩定性 5 (3) 擦拭能力﹕減少雷射光的λ、增加物鏡的NA 5 (4) 讀取能力﹕降低雜訊值→提昇CNR▲▲值 6 (5) 循環寫擦能力﹕理想的循環寫擦次數是106次以上 6 (6) 適合作為相變化記憶體之用的材料性質 6 ◆表﹕適合作為相變化記憶體之用的材料性質 6 (C) 相變化材料電性及記憶原理 7 ◆表﹕相變化材料電性及記憶原理■ 7 ◆圖二﹕硫屬化合物之電流電壓(I-V)特性圖 7 ◆圖三﹕電阻值隨電流值變化示意圖 9 ◆圖四﹕相變化記錄媒體之操作功能與溫度、時間對應圖 10 (D) 相變化記憶體的發展與展望 12 (1) 記憶體性質及技術的比較 12 ◆表三-1﹕多種記憶體性質及技術比較 12 ◆表三-2﹕多種記憶體性質及技術比較 13 (2) 相變化記憶胞及線路 13 ◆圖五-1﹕相變化記憶胞示意圖 13 ◆圖五-2﹕相變化線路示意圖 14 (3) 相變化記憶體之讀寫反覆循環次數 15 ◆圖六﹕相變化記憶體之讀寫反覆循環次數 15 (4) 相變化記憶體在不同介質層對寫入功率之影響 16 ◆圖七﹕相變化記憶體在不同介質層對寫入功率之影響 16 (5) 相變化記憶體「作成元件之後」將可能面對的問題 17 ◆表﹕相變化記憶體「作成元件之後」將可能面對的問題 17 (E) 結論 18 (F) 誌謝 18 (G) 參考文獻 18 相變化記憶體的起源 相變化記憶體 相變化記憶體就是利用物質相的變化來達成記憶體的特性﹐在資訊進步飛快的今日不僅資料要存得多、存得快﹐而且還要存得久﹐相變化記憶體就是在這樣的需求條件下所衍生出來的產品﹐它不僅能做得小(存得多)、速度快、還能在130℃下保存十年以上﹐再加上與現今半導體製程技術相匹配﹐因此預計未來幾年將對記憶體及電腦市場帶來一大衝擊。 Chalcogenide (硫屬化合物)…Ovonic Switch 1960 年代美國ECD 公司的S. R.Ovshinsky首先在Chalcogenide (硫屬化合物)中發現結晶態與非晶態的光學性質與導電率有