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第六章 光电探测技术基础 朱京平 西安交通大学 光电探测技术 主要内容 • 光电探测及其发展历程 • 光电探测器性能参数 • 光电探测方式 • 光电探测的物理效应 • 典型光电探测器 光电子学课程内容 信息载 光信号 处理 光源 光传输 或光控制 接收 存储 光电探测及其发展历程 • 光电探测技术  把被调制的光信号转换成电信号并将 信息提取出来的技术。  光探测过程可以形象地称为光频解调。 • 光探测器 将光辐射能量转换成为一种便于测量 的物理量的器件。 光电探测及其发展历程 1873年，英国的Smith和 May在大西洋横断海底电信局所 进行的实验中发现，当光照射到用作电阻的Se棒后， 其电阻值约改变30%; （光电导） 1873年，Simens将白金绕在这种Se棒上，制成了第一个光电池； 1888年，德国的Hallwachs在作Hertz的电磁波实验中，发现光照 射到金属表面上会引起电子发射; （外光电效应） 1890年 勒纳 带电粒子电荷质比测定证明是电子, 弄清外光电效应实质 光电探测及其发展历程 1909年，Richtmeyer发现，封入真空中的Na光电阴极所发 射的电子总数与照射的光子数成正比，奠定了光电管基础； 1929年，L.R.科勒制成银氧铯光电阴极，出现光电管 1933年发明了光电摄像管； 1939 年，苏联Zworkyn制造出光电倍增管 光电探测及其发展历程 30年代末 PbS红外探测器问世,室温下探测到3μm 40年代 半导体材料温差型红外探测器和测辐射热计出现 1950年，美国的Weimer等人研制出光导摄像管; 50年代中期 可见光波段的硫化镉(CdS),硒化镉(CdSe)光敏电阻和短 波红外AlS光电探测器投入使用 光电探测及其发展历程 1958年 英国劳森等发明碲镉汞(MCT)红外探测器 红外探测器自60年代以来快速发展,40多年来美、英、法等大力 开发了 中波(3~5μm)和长波(8~14μm)红外多元探测器,并广泛应 用于夜视、 侦察和制导系统等领域 1992年起 各国用红外焦平面阵列在各种 成像技术中取代多元探测组件 我国高德等红外CCD公司也已有一定产能 光电探测及其发展历程  1970年Boyle等人发明了CCD(电荷耦合器件)。  如今各种光电探测器件大都已工业化、商品化，摄像机等已微型化  近年sCMOS问世，标志着探测器的又一跨越 ——由于现阶段的激光系统可提供巨大的带宽与信息容量，因而光 电探测技术在信息光电子技术中也就有了特别重要的意义。 小结： • 光电探测技术是把被调制的光信号转换成电信 号并将信息提取出来的技术。 • 发展历程 光电探测器从1873年Smith光电池原型开始， 至今已100多年历史，发展出了光电池、光电管、 光电摄像管、红外单元/多元/焦平面阵列探测器、 CCD、CMOS、背照式CCD、sCMOS等各类光 电探测器