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探测器自身放射性本底 Quenching factor (ionization yield ?energy) 沟道效应 HP Ge detector / PC Ge detector HPGe 的能量分辨最好 反冲电子或核的次级电子空穴的收集形成信号 * CsI crystal CsI Powder 脉冲形状甄别 PSD Pulse Shape Discrimination DAMA/LIBRA NaI(Tl) Scintillator at Gran Sasso : total 0.82 ton-year data Observe annual modulation in the 2-6 keV single-hit signal band, total 11 cycles, 8s Reject gamma by PSD No modulations at higher energy for multiple-hits December 30 km/s ~ 232 km/s 60° June 30 km/s NaI晶体实验 Annual Modulation in single hit at 2-6 keV No Modulation for multiple hits at 2-6 keV No Modulation for single hit above 6 keV multiple-hits residual rate (green points) vs single-hit residual rate (red points) Single-Hit Power Spectrum Single Hit 2-6 keV Signal Region DAMA/NaI (7 years) + DAMA/LIBRA (4 years) Total exposure: 300555 kg?day = 0.82 ton?yr High efficiency High resolution Large mass Pure material Low noise/ Low threshold Semiconductor detector materials HPGe 的体积，质量最大( Kg) 三种HPGe探测器 planar Coaxial detector Vb p (n) p+ (n+) n+ (p+) S0 S1 p PCGe detector *
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