电子技术基础习题.答案.docVIP

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// 中等职业教育电类专业规划教材 电子技术基础练习册 习题答案 丛书主编 程 周 主 编 范国伟 副 主 编 袁洪刚 关越 主 审 任小平 Publishing House of Electronics Industry 北京 ? BEIJING 《电子技术基础练习册》习题答案 范国伟 袁洪刚 关越 编写 第一篇 模拟电子技术基础 第1章 半导体二极管和三极管 1.1 半导体的基本知识 一、填空题 1、(自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体);(掺杂半导体导电粒子) 2、(电子、空穴) 3、(电子型半导体、五价元素、电子、空穴) 4、(三价元素、空穴、自由电子) 5、(单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置) 6、(较大、导通、很小、截止) 二、判断题 1、× 2、√ 3、× 4、× 5、× 三、选择题 1、C、 2、B、 3、C 四、问答题 1、答:PN结的主要特性是单向导电性,即PN结在加上正向电压时,通过PN结的正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态;PN结在加上反向电压时,通过PN结的反向电流较小,反向电阻较大,PN结处于截止状态。 1.2 半导体二极管 一、填空题 1、(单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、 V、) 2、(硅管、锗管、点接触型 、面接触型、检波二极管、开关二极管) 3、(单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3) 4、(最大正向电流IFM、最大反向工作电压URM、最大反向电流IRM、一半或三分之一) 5、(硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通;) 6、(过热烧毁、反向击穿) 二、判断题 1、× 2、√ 3、× 4、× 5、× 6、× 三、选择题 1、C 2、B 3、C 4、B 5、C 6、A 7、C 四、问答题 1、 答:(1)N型锗材料普通二极管;(2)N型锗材料开关二极管;(3)N型硅材料整流二极管; (4)N型硅材料稳压二极管; 2、 答:不能,因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大,可能烧坏二极管。 3、答:使用万用表的R×100Ω或R×1KΩ档测二极管的正反向电阻值,比较两次测量结果,其中电阻值小的那次测试中黑表笔所接被测二极管的引线为正极,红表笔所接被测二极管的引线为负极。若测量正向电阻时,表针指示在中间或中间偏右处,即为硅二极管;表针指示偏到接近0Ω处,即为锗二极管。若测量正反向电阻时,正向电阻和反向电阻均较小的二极管,其已短路损坏;正向电阻和反向电阻均很大的二极管,其已开路损坏。 五、分析与计算 1、 解:a)V1导通 UAB=-6V; b) V2截止 UAB=-12V; c) V3导通 UAB=8V; d)V4截止 UAB=3V。 2、 解: ⑴、因为UA = UB = 0V,而UCC = 6V,所以两个二极管VD1和VD2承受同样大正向电压,都处于导通状态,均可视为短路,输出端F的电位UF为:UF = UA = UB = 0V 电阻R中的电流为: 两个二极管VD1和VD2中的电流为: ⑵、因为UA =3V , UB = 0V,而UCC = 6V,所以两个二极管VD2承受正向电压最高,处于导通状态,均视为短路,输出端F的电位UF为:UF = UB = 0V 电阻R中的电流为: VD2导通后,VD1上加的是反向电压,因而截止,所以两个二极管VD1和VD2中的电流为: ⑶、因为UA =UB = 3V,而UCC = 6V,所以两个二极管VD1和VD2承受同样大正向电压,都处于导通状态,均可视为短路,输出端F的电位UF为:UF = UA = UB = 3V 电阻R中的电流为: 两个二极管VD1和VD2中的电流为: 1.3 稳压管 一、填空题 1、 (稳压管、特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管、普通二极管的单向导电特性、工作于反向击穿状态) 2、(截止、增大、击穿、基本不变) 3、(减小或消失、增大、彻底击穿) 4、(电路的稳压环 直流电源电路、2CW、2DW) 5、(反向击穿、击穿电压UZ、稳压作用) 6、(稳定电压UZ、稳定电流IZ、最大稳定电流IZmax;) 7、(面、硅晶体、反向击穿) 二、判断题 1、√ 2、× 3、× 4、√ 5、× 三、选择题 1、A; 2、C1、C2; 3、C; 4、C; 5、C 6、B 四、问答题 1、 答:⑴它是用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管,它的反向击穿特性曲线要比普通二极管陡

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