密度极限破裂.ppt

磁流体稳定性３ 理想磁流体 非理想磁流体：锯齿振荡 非理想磁流体：新经典磁岛 壁的稳定作用 边界区不稳定性 密度极限 破裂 ６，密度极限：Hugill图 Globus-M的运转空间（球托卡马克） 高密度的H-L转换 杂质含量对密度的的限制 实现高密度的方法 ７，破裂 预先兆阶段 先兆阶段：m=2开始发展 快破裂阶段：中心温度下降，电流轮廓变平，负电压脉冲 电流淬灭阶段：放电终止． 导致破裂的原因 低q破裂 密度极限破裂 平衡控制失效 比压极限破裂 电流上升过快 破裂物理 不稳定电流轮廓的发展导致撕裂模，特别是m=2模的增长 这一撕裂模的非线性增长 平衡态的突然弛豫：电流轮廓变平，温度下降 总电流降低 某些条件下，电阻增加使电场增加，导致产生逃逸电子 能量损失和电流减少导致真空室电流，使之受力 撕裂模不稳定性 破裂前的MHD活动 小振幅磁振荡　　m=1,m=2 以偶发形式增长　　一系列小破裂 锁模 Br连续增长 JET上典型密度极限破裂 慢的热淬灭相　　起源于n=1锁模 快的热淬灭相 （1，1）模发展 短的正电流脉冲　磁剪切损失，冷泡俘获 电流淬灭 DIIID上的破裂 热淬灭相的两个阶段 T-10破裂软X层析重构 快破裂阶段：两项实验证据 电流轮廓变平：多重磁重联导致磁面广泛破裂 能量快速损失／存在m=1软X射线结构：和多模扰动导致电流变平抵触 两个物理模型 由于磁扰动的非线性发展，不同螺旋度的模式重联（重叠），形成随机磁场在宽的等离子体区域造成传导输运机构，使能量很快散失 低磁剪切条件下理想螺旋不稳定性的非线性发展可造成边界区的“冷泡”的俘获和宏观传输，进入中心区，使能量很快损失 电流淬灭时间 垂直不稳定性：拉长截面破裂 热淬灭 变长，向偏滤器运动 产生晕电流 电流淬灭 晕(halo)电流 垂直位移的数值模拟 晕电流和等离子体电流的关系 晕电流在环向不对称 逃逸现象 逃逸电子雪崩 消除逃逸或减轻其后果的方法 充进工作气体 弹丸注入（提高密度和产生MHD） 外加螺旋场 外加负电压 避免破裂 选择适当运转空间 反馈控制 快速停车 涉及破裂的过程 避免破裂的方法 被动法(1s) 　减少等离子体密度（密度极限） 　增加辅助加热功率（边界功率平衡破坏） 主动法(1s) 　　加热／驱动局部改变参数避免热淬灭(ECCD,ECRH,ICCD, LHCD,NBI) 改善破裂后果 　　减少拉长比 　　注入杂质或“杀手弹丸” 快速停车(shutdown) 杂质弹丸注入 强吹气 液态氘注入 固态氘注入 第一壁的处理对密度极限的影响 * * Murakami参数 低q边界：q≌2 Greenwald密度极限 n/1020≌1J, J=Ip(MA)/πa2 JET放电参数轨迹 ASDEX上密度／加热功率图 三角形变对密度的影响 另一经验公式 DIIID上用弹丸注入提高密度 M=2岛宽和表明形变随电流密度的变化（导电壁处于1.2a的计算结果） 共振面附近“外部”方程（W6.8.7) 可能发生的电流轮廓变化 锯齿振荡 杂质集中 中心电流 轮廓变平 边缘电流 分布变陡 不稳定 性发展 电流增加 趋肤电流 共振面内的强的负电流梯度导致不稳定 A-F:m=1先兆增长 G-L:m=2先兆增长 M-T:m=1,m=2结合，　　　　　冷泡进入 冷泡 电流变平的实验证据：电压负尖峰 电流淬灭时间的分布(Alcator C-Mod) 电流淬灭时间除以等离子体截面 vs.破裂前电流密度 晕的宽度：0.2-0.3a 环向不对称 在等离子体内是螺旋的，在真空室内是极向的 JET上破裂时的逃逸电子形成 临界电场 TEXTOR-94上测量同步回旋辐射研究逃逸 λ=3-8μm, E≦20MeV ASDEX-U上高辐射模用调节Ne注入控制破裂 * * *