第十五章-固态相变原理基础1.pptVIP

南京航空航天大学 材料科学与技术学院 缪强 金属固态相变与凝固过程的相同之处： 以新相和母相的自由能差作为相变的驱动力； 大多数固态相变也包括形核与长大两个基本过程，并遵循凝固过程的基本规律。 但由于固态相变是凝固态下的结晶过程，故又具有不同于液态结晶的一系列特点。 通常， δ0.05，两相可构成完全共格界面； δ=0.05~0.25，两相构成半共格界面； δ0.25，两相构成非共格界面。 两相界面为共格或半共格界面时，新相与母相之间必然存在一定的位向关系； 如果新、旧两相之间没有确定的位向关系，则相界面必然是非共格界面。 新相与母相的比容差：新、旧两相的比容差越大，应变能越大； 新相的形状：新相呈球形时应变能最大，呈盘（片）状时应变能最小，呈针状时应变能介于前两者之间。 总结： 具有低的界面能但有高的应变能的共格核胚，倾向于呈盘/片状； 具有高的界面能但有低的应变能的非共格核胚，则易呈等轴状； 如因体积膨胀大而引起的应变能较大或界面能的异向性很显著时，也可呈片状或针状。 （1）新相在位错线上形核。形核时位错线消失，释放的能量使形核功降低。 位错的能量 E =τ·b，柏氏矢量b值越大，促进形核的作用也越大 。 曲线A表示Δgd比较小的情况，有形核势垒； 曲线B表示Δgd很大的情况，无形核势垒，若无扩散限制，形核可自发进行。 平界面。刃型位错的柏氏矢量b沿着界面方向，则其不能滑移而必须通过攀移才能跟随界面移动。但是平界面位错攀移困难，故其牵制界面迁移，阻止晶核长大。 阶梯界面。面间位错分布在阶梯界面上，位错的滑移运动使阶梯跨过界面侧向迁移，而使界面朝其法线方向发展，从而使新相长大。 第三节 金属固态相变的长大 第三节 金属固态相变的长大 扩散型相变特点： 相变过程中有原子扩散运动，转变速率受扩散控制即决定于扩散速度； 在合金的相变中，新相和母相的成分往往不同； 只有因新相和母相比容不同引起的体积变化，没有形状改变。 第二节 金属固态相变的形核 由上式还可以推导出临界晶胚的半径r*和形成临界晶核所需的形核功ΔG *： 可见：界面能和应变能增大时，临界核胚直径变大，所需形核功升高。 （1-3） （1-4） 第二节 金属固态相变的形核 二、非均匀形核 第二节 金属固态相变的形核 金属固态相变多为非均匀形核，母相的各种晶体缺陷如晶界、层错、位错等均可作为新相的形核位置，缺陷贮存的能量可使形核功降低，因而比均匀形核容易得多。 核胚在晶体缺陷处形成时，体系的自由能变化为： ΔG = V·Δgv + S·σ + V·ω - Δgd （1-5） ΔG = V·Δgv + S·σ + V·ω - Δgd 第二节 金属固态相变的形核 式中右侧的前三项与均匀形核相同，分别为化学自由能、界面能和应变能；Δgd为非均匀形核时晶体缺陷的消失或被破坏而导致体系能量的降低——晶体缺陷的存在促进相变的形核。 第二节 金属固态相变的形核 1、空位 空位通过影响扩散或利用本身能量来提供形核驱动力，而空位群则可凝聚成位错，进一步促进形核。 空位对固态相变形核的促进作用已为大量的实验所证实。 第二节 金属固态相变的形核 2、位错 位错对形核的促进，可通过三种方式来实现。 第二节 金属固态相变的形核 在位错线上形核时，体系自由能的变化值ΔG和晶核半径r的关系如图。 A B r ΔG 在位错线上形核自由能的变化 第二节 金属固态相变的形核 （2）形核时位错不消失，依附在新相界面而成为半共格界面的位错部分，补偿了错配，降低了界面能并进而降低了形核功 。 （3） 在新相与母相成分不同的情况下，由于溶质原子在位错线上的偏聚（形成了气团），有利于沉淀相核心的形成，对相变起到催化作用。 第二节 金属固态相变的形核 根据估算，当相变驱动力很小而新相与母相的界面能约为2×105J/cm2时，均匀形核的成核率仅为10-70/（cm3·s）；如果晶体中的位错密度为108/cm，则由位错促成的非均匀形核的成核率为108/（cm3·s）。可见当晶体中存在高密度位错时，固态相变很难以均匀形核的方式进行。 第二节 金属固态相变的形核 大角度晶界具有高的界面能，在晶界形核可以利用其能量，显著降低形核功——固态相变在晶界处形核。 晶界形核时，新相与母相的一个晶粒形成共格或半共格界面，以减小形核功。共格一侧因与母相有一定的位向关系，界面呈平直态，由于大角度晶界两侧晶粒通常没有对称关系，故晶核不太可能同时与两侧晶粒共格，而是一侧共格一侧非共格