物理报告-电晶体.ppt

第一個電晶體的結構簡介 在有機玻璃的下方基座上有一小塊平板形狀的灰色鍺晶體，晶體底面緊壓著兩片分隔僅約0.1mm的平行金薄片，晶體上面則頂著一箭頭形的金屬電極。如果在此電極和其中之一的金薄片施加順向偏壓，而在電極和另一金薄片之間加上逆向偏壓，則此電路具有將小訊號放大的功能。這種結構稱為點接觸型電晶體。 組員:謝明璋.陳義軒 作者介紹 電晶體介紹 電晶體的發明 1908年出生於美國威斯康星州的麥迪遜。 1923年進入威斯康星大學麥迪遜分校電機工程系學習。 1936年獲得普林斯頓大學博士學位。 1947年和布拉頓、蕭克利發明了電晶體，三人獲得1956年諾貝爾物理學獎。 1957年，巴丁和庫珀、施里弗共同創立了BCS理論，獲得1972年諾貝爾物理學獎。 電晶體主要分為兩大類： 雙極性電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET）。 電晶體有三個極； 雙極性電晶體的三個極，分別由N型跟P型組成射極（Emitter）、基極?(Base) 和集極（Collector） 場效應電晶體的三個極，分別是源極（Source）、閘極（Gate）和汲極（Drain）。 NPN型 PNP型 場效應電晶體 在類比電路中，電晶體用於放大器、音頻放大器、穩壓電路；在計算機電源中，主要用於開關電源。 電晶體也應用於數位電路，主要功能是當成電子開關。數位電路包括邏輯閘、隨機存取記憶體?(RAM) 和微處理器。 電晶體在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由電晶體製成的。 1930 年，貝爾實驗室的科學家試著使用超高頻電波做為電話通訊用，這需要比真空管更可靠的偵測器，因為真空管無法接收快速的振盪，且真空管體積大、耗電量多、易損壞的缺點 促使他們更進一步研發最可靠的半導體物質「矽」的特性。在此過程中，他們發現矽元素是由兩個不同的部分所組成，一部份有利於正電流通過(P)，另一部份則有利於負電流通過(N）。 這個「P-N 體」(半導體)的發現，加上可以控制它的特性， 奠定了電晶體的基礎。 巴丁、布拉頓 和蕭克利在貝爾實驗室 開發增加強度的新方法，他們認為若在 半導體內插入二個電極板，就可以控制 電流量。 布拉頓建造了一個奇妙的矽裝置來研究 半導體表面的電子行為，希望能發現電 子阻礙強化的原因，可是卻發現矽表面 一直產生凝結物。為了處理此問題，布拉 頓就將整個實驗裝置放進水中，沒想到卻 製造出前所未曾觀察到的最大強化效果。 巴丁知道這個結果後就建議做一個加強器， 將裡面金屬的一端插入矽中，再放入蒸餾水中。 這個裝置可行，但是強化效果並不明顯。 後來決定以「鍺」取代「矽」，得到的強化效果是之前的330 倍。但很不幸地，這只在很低頻的電流中有效。 他們決定以氧化鍺來取代液體。在實驗的過程中，布拉頓發現他會不經意地洗掉氧化層，但電壓還是會有一些強化果，而且是在所有的頻率中都能達成，這令他很訝異。另外，金的接點將鍺刺出小洞，可以將表面電子的干擾因素去除掉。 製造強化器的主要要件是一個厚片的鍺，和兩個相距幾毫米的金接點。謹記此原則，布拉頓 在一個塑膠做的三角形周圍圍上一條金箔片，再在三角形的一個頂點以刀片將金箔切開，得到相隔只有一根毛髮寬的兩個金接點。當將此頂點放到鍺上時，訊號會通過一個金接點，當它衝至另一個金接點時，訊號就會加強，這就是第一個「點接觸」的電晶體。 第一個電晶體約有0.5 吋高，以今日一個矽晶片可以容納7 百萬個電晶體的標準來說是很大，但它確實是第一個可以執行真空管強化功能的固體裝置，所以讓巴丁、布拉頓 和蕭克利在1956 年贏得了諾貝爾物理獎。更重要的是，它孕育了一個全面性的產業，開啟了資訊時代，在全球掀起了大革命。