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图7.2.1 ROM的电路结构框图 图7.2.5 PROM管的结构原理图 7.3 RAM 特点：(1)随机读写 (2)断电信息丢失 分类： (1)SRAM (性能稳定) (2)DRAM (容量大、动态刷新) 图7.3.1 SRAM的结构框图 图7.3.2 1024 ? 4位RAM（2114）的结构框图 图7.3.3 六管NMOS静态存储单元 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 RAM的位扩展方式 保持字数不变，数据位扩展，即增加数据线数 7.4.2 RAM的字扩展方式 保持位数不变，字数扩展，即增加地址线数 图7.4.1 RAM的位扩展接法 图7.4.2 RAM的字扩展接法 练习： P400 题7.4 图7.5.1 例7.5.1的电路 图7.5.2 例7.5.2的ROM点阵图 练习： P400 题7.7 1 0 1 0 D1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 0 D0 D2 D3 A1 A0 7.1　概　述 　　存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛。 软磁盘 磁带 硬盘 内存条 光盘 优盘 数码相机用SM卡 7.1　概　述 7.1.1　半导体存储器的特点与应用 7.1.2　半导体存储器的分类 7.1.3　半导体存储器的主要技术指标 7.1.1 半导体存储器的特点与应用 　　半导体存储器是用半导体器件来存储二值信息的大规模集成电路。 　　集成度高、体积小、可靠性高、价格低、外围电路简单且易于接口、便于自动化批量生产。 　　半导体存储器主要用于电子计算机和某些数字系统，存放程序、数据、资料等。 7.1.2 半导体存储器的分类 　　１．按制造工艺分类： 　　双极型：工作速度快、功耗大、价格较高。 　　MOS型：集成度高、功耗小、工艺简单、价格低。 　　２．按存取方式分类： 　　顺序存取存储器(SAM)：如先入先出型和先入后出型。 　　随机存取存储器(RAM)：包括静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM) 。 　　只读存储器(ROM)：包括固定ROM、可编程ROM(PROM)和可擦除的可编程ROM(EPROM)。 　　１．存储容量 　　存储器包含基本存储单元的总数。一个基本存储单元能存储１位(Bit)的信息，即一个0或一个1。 存储器的读写操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。 例如： 字数： 字长：每次可以读(写)二值码的个数 总容量 　　２．存取时间 　　反映存储器的工作速度，通常用读(或写)周期来描述。 7.1.3 半导体存储器的主要技术指标 7.2　只读存储器（ROM） 7.2.1 固定ROM(掩膜ROM) 7.2.2 可编程ROM（PROM） 7.2.3 可擦除可编程ROM（EPROM） 一、EPROM 二、EEPROM Read Only Memory 三、Flash Memory 7.2.1 固定ROM(掩膜ROM) 表7-2-1 4×4位ROM数据表 图7.2.1 ROM的电路结构框图 7.2.1 固定ROM(掩膜ROM) 　　芯片在制造时就把需要存储的内容用电路结构固定下来，使用时无法再改变。 　　１．二极管固定ROM 　　字线和位线的交叉处代表一个存储单元，有二极管表示存1，否则表示存0。 1 0 1 0 D1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 0 D0 D2 D3 A1 A0 表7-2-1 4×4位ROM数据表 图7.2.2 二极管ROM的电路结构图 　　２．MOS管固定ROM 　　字线和位线的交叉处代表一个存储单元，有NMOS管表示存1，否则表示存0。 图7.2.3 用MOS管构成的存储矩阵 7.2.2 可编程ROM（PROM） 　　PROM在出厂时，存储的内容为全1（或全0），用户可根据需要将某些单元改写为0（或1）。 　　特点：工作速度快，但只能进行一次性编程处理。 　　用户编程： 　　选择相应地址，有较大的脉冲电流从VCC经三极管流过熔丝，并将熔丝熔断，从而使本单元信息改写为0。 图7.2.4 熔丝型PROM的存储单元 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 　　一．可擦除可编程ROM（EPROM） 　　 　　二．电可擦可编程ROM（EEPROM） 　 三．快闪存储器（Flash Memory） 　　 　　一．可擦除可编程ROM（EPROM） 1、采用浮栅雪崩注入MOS管 (略) 2、采用叠层栅注入MOS管 　　用户编程（写0）：漏