电子元器件识别与检测晶体管介绍.pptVIP

* 半导体分立器件 三级管 结构： 符号： 作用: 放大，控制 开关。 半导体分立器件 三级管 判断三极管 的e、b、c 不同封装 9014 SOT23 9013 TO92 一、晶体三极管的分类 晶体三极管的分类很多，按结构可分为点接触型和面接触型；按生产工艺分为合金型、扩散型和平面型等。但是常用的分类是从应用角度，依工作频率分为低频三极管、高频三极管和开关三极管；依工作功率分为小功率三极管、中功率三极管和大功率三极管；按其导电类型可分为PNP型和NPN型；按其构成材料可分为锗管和硅管。 这里介绍一下锗三极管和硅三极管之间的区别。不管是锗管还是硅管，都有PNP型和NPN型两种导电类型，都有高频管和低频管、大功率管和小功率管。但它们在电气特性上还是有一定差距的。首先，锗管比硅管具有较低的起始工作电压，锗三极管的基极和发射极之间有0.2V~0.3V的电压即可开始工作，而硅三极管的基极和发射极之间有0.6V~0.7V的工作电压才能工作。其次，锗管比硅管具有较低的饱和压降，晶体管导通时，发射极和集电极之间的电压锗管比硅管更低。第三，硅管比锗管具有较小的漏电流和更平直的输出特性。 二、晶体三极管的主要参数 1、共发射极直流放大倍数HFE 共发射极直流放大倍数HFE是指在没有交流信号