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实验五晶体管混频电路 实验目的 熟悉晶体管混频电路的基本工作原理。 了解混频电路的多种类型及构成，分析实验现象。 二、实验仪器 1 ?模拟双踪示波器 CS-4135 A 一台 2.数字双踪示波器 TDS-1002B ° 3.数字万用表 VC88E 一台 4. DDS函数信号发生器 DG1022 一台 5.实验电路板 G6 一块 三、实验原理及电路 在屮短波接收机和测量仪器屮曾被广泛的应用O 晶体管混频电路是一种具有较高变频增益的电路, 混频电路的功能是将载波频率为fs（非固定频率）的调幅波不失真地变换为另i载波频率fi個定屮 频频率）的调幅波，而保持原调制信号不变。 混频电路的原理框图见图5-1所示。 混频电路常用的非线性器件有二极_ 管、三极管、场效应管和乘法器。本振用 于产生一个等幅的高频信号％,并与输入.. 信号Us经混频电路混频，产生的差频信号- 经窄带通滤波器鉴出。 - 35-1泡额电席原ass 四、实验内容及数据分析 本实验电路的特点是输入信 号与本振信号分别从基极和发射极注 入，相互干扰产生的牵引现象可能性 小，输入阻抗小，不易过激励，输出 波形好，失真小。 1.静态工作点的测量 接通12V电源，测量晶体管W、 V?、V3的工作电压，判断晶体管电 路是否工作正常。调节Rp】、Rp2使 晶体管V|、V3的基极电压约为3.8V,用万用表测量V】、V3的发射极的电压，约为3」V左右，V?的 基极电压约为1.7V,也的发射极电压约为IV,若工作点的电压没有大的出入，即可确定实验电路工 作正常。 2.中频放大的选频特性 （1）测量输出信号的幅度（或峰峰值）和记录波形。 (2) ?上下微调低频信号发生器的输岀频率, 选频特性 CH2 fo Vpp 0.968V CHI Vo Vpp 1.54 V 可见在没外接输入fs时，混频输出Vo相比本振输入fo 频率相同，但振幅要大，且产生了轻微的相位延迟。放 大倍数为1.59,相位差约为卞 O 观测输出信号的变化，分析屮频放人电路的选频特性。 1500 ■ Vpp(mV) f0 3.混频测试 f (kHz) 455 460 465 470 475 Vpp (mV) 200 792 540 922 372 fo 455 460 465 470 475 随着fo 频率增 大，Vo也呈现完全相同的频率，而幅值经历了先 增加后减少的过程，显示中频放大电路的选频特 性应该是近似于LC并联谐振的特性曲线，是会在 465kHz附近取得最大振幅的。 (1) ?接入fs输入端，观察实验电路V。输出，逆时针适当调 节Rpi，使输出信号的幅度达到最大。 Vo 输出 Vpp (V) f(kHz) V1B 1.25 465 1.22 此时V。输出产生一个 频率为465 kHz幅度1. 25 V的正弦波，可见无明显 (2).上下微调f°,观察电压、频率和波形变化情 况。 可见波形为正常的正弦波,输出频率稳定跟随输 入fo的变化。振幅方面中频信号减少幅度也大 幅衰减。 微调f。 Vpp (V) f (kHz) 增力口 5KHz 0. 724 470 1 Fa A 1 J 1 1 减少5KHz 0. 372 460 1 失真。输出的频率为混频的两信号的差频信号(1100 kHz -635 kHz =465 kHz)。Vlb电压较之前有下降。 (3).微调 fs。 可见波形为正常的正弦波，输出频率稳定跟随输 入fs的变化。振幅方面输入信号减少幅度也大 幅衰减。 (4).±下微调fs的输入幅值记录幅值增减 后输出信号V。的电压、频率和波形的变化 情况。 可见波形为正常的正弦波，输出频率稳定跟 随输入fs的变化。振幅方面随着输入信号 同向变化。 (5).调制深度从改为40.0%,观察电路V。 输出，测量晶体管W的基极电压。 微调fs Vpp (V) f(kHz) 增力]| 5KHZ 0. 704 470 A A / \ / Y 11 i \ I 1 ? i i V \j / - 减少5KHz 0. 388 460 电压 CHI CH2 峰峰值mV 800 4000 谷谷值mV 1600 7100 Vib (V) =0. 675V 可见能够较好地解调AM调幅波，输出的波形幅度较大， 形状更为陡悄伸长、具有更大的m值。M值测出结果偏大， 应该为模拟示波器准确度限制。此时的基极电压更为低一些。 V1B (V) =0. 675V CHI CH2 电压偏转 500mV/div lV/div El 1.6 4.0 E2 3.8 7. 1 初=空二空kx] (M% Ex^-E2 0.421052632 0.5633803 五、【思考题】 简述晶体管混频电路的基本工作原理及其应用。 混频器一般由输入信号回路、本机振荡器、非线性器件和滤波