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实验七 单边P-N结杂质分布的锁相检测 【摘要】 半导体材料及器件的基本测量屮有一部分非常重要的是对半导体材料及器件的杂质分布的 测量。本实验通过测量不同直流偏压下p?n结势垒电容的方法(C~V法)，可以既不破坏器 件本身，又可以迅速地求得杂志分布。在测量过程中，利用锁相放大器检测微弱型号，对噪 声处理，并对相关信号进行放大，实现对于信号的精确测量。 【关键字】杂质分布，c~v法，锁相放大器 【正文】 —?引言 半导体器件设计与制造的核心问题是如何控制半导体内部的杂质分布，以满足实际应用 所要求的器件参数。因此，杂质分布的测量是半导体材料及器件的基本测量之一。利用四探 针或崔耳效应，逐次去层测量薄层崔尔电压，可以获得杂质分布以及迁移率随杂质浓度的变 化；但是，逐次去层比较繁琐，而且具有破坏性。通过测量不同直流偏压下p-n结势垒电容 的方法(C?V法)，可以既不破坏器件本身，又可以比较迅速地求得杂质分布。 本实验利用7265型锁相放大器、采用C-V法测量p-n结的杂质分布。锁相放大器是检测微 弱信号的重要仪器。检测微弱信号的核心问题是对噪声的处理。最简单、最常用的办法是采 用选频放大技术，使放大器的中心频率f。与待测信号频率相同，从而对噪声进行抑制。但 此法存在中心频率不稳、带宽不能太窄及对待测信号缺乏跟踪能力等缺点。锁相放大技术利 用对待测信号和参考信号的互相关检测原理实现对信号的窄带化处理，能有效地抑制噪声, 实现对信号的检测和跟踪。目前，锁相放大技术已广泛地用于物理、化学、生物、电讯、医 学等领域。 实验要求： 掌握锁相放大器的原理和使用方法。 测量p?n结电容■电压(C-V)特性曲线。 由突变p?n结的C?V的特性曲线，测量轻掺杂的杂质分布。 二.实验方法原理 如果p-n结的一边掺杂浓度远大于另一边的掺杂浓度，就形成单边突变p-n结，加在 p-n结上的电压几乎都降在耗尽层的轻掺杂一边。单位面积p?n结势垒电容(C/A)和偏压 (Vd+Vr)的关系仅与轻掺杂的浓度(Nd)有关，可由下式表示： 丄 C J I1 人一 2(% +匕) 其屮，Vd为无偏压时p-n结的接触电势差（即为单边突变异质结的自建势）。 1.单边突变p?n结杂质分布的C~V测量 c~ —? v(r) Cop-n结势垒电容是一个随直流偏压变化的微分电容。因此，测量势垒电容吋，我们在p?n结 上要偏置一定的反向直流偏压Vr,同时，在Vr上再叠加一个微小的交变电压信号v（ t ）, 并在交变电压信号v（ f ）与待测的p-n结电容Cx之间串接一个己知电容Co,当Co?Cx时, 在Co c ~ —? v(r) Co 叩) .1 1 + 1 Mo jwCx jwCo 上式表明电容Co上的交变电压Vi与待测的p-n结电容Cx成止比，比例系数v（ t ）/Co等于 vi/Cx,它表示单位待测电容转换为电压信号的灵敏度。能否通过增大交变电压仄r ）或降低 Co来提高这个灵敏度呢？我们知道，公式1?（1）成立的前提是Co?Cx,此外，由于p?n结 是一个微分电容，交变电压WQ必须比p-n结上的压降Vd+ Vr要小得多，否则将给微分 电容的测量带来一定的误差。因此，我们只有选取适当的交流放大器。经过检波后的输出幅 度如果与输入电平成正比，那么，把检波后的直流信号接到记录仪的Y轴输入端，p-n结 上的反向偏压接到记录仪的X轴输入端，通过调节反向偏压的大小，就可以测得p-n结的 C-V曲线。 p-n结C-V测量的方框图如下图所示： 音WI振荡器偏压人隔离变压器询定敖大器保护电路丫轴 音WI振荡器 偏压人 隔离变压器 询定敖大器 保护电路 丫轴 三.数据处理与分析 （1）检验锁相放大器的输出Vs与被测电容G的线性关系，并观测相位差与Cx的关系 Cx Cx (nf) log(Cx) 幅值（mv） 相位差（度） 104 100 2 64.41 3. 1 103 10 1 55. 14 27. 33 102 1 0 10. 64 76. 83 100 0.01 -2 0. 168 86.3  输出Vs与被测电容Cx的关系 Cx与幅值关系 ?幅值 ?幅值(mv) 输出必与被测电容log(Cx) 输出必与被测电容log(Cx)的关系 log(Cx)与幅值的关系 成一定程度的线性关系，以拟合公式。 成一定程度的线性关系，以拟合公式。 相位差与G的关系 相位差(度) ? ?相位茅(度) 相位差与log(Cx)的关系 相位差(度) 与必相似，也成一定程度的线性关系。 (2)比较不同匕下的C?V(VR?Vi)特性曲线 VR (V) Vi(lOOmV) Vi(150mV) Vi(200mV) 0.2 105.4 154.7 259 0.5 90.4 131 207 1 80. 1 114.4 1