非电量测量-讲义06-光电式.ppt

扩散反射式光电开关 料位控制 烟雾报警 带材对中控制 缺料检测 备注 斜度检测 扩散反射式光电开关 裂缝检测 镜面反射式光电开关 透明玻璃瓶检测 长度控制 备注 限距式光电开关 产品计数 液位检测 气流量监测 检测有无盖 限距式光电开关 料径控制 行程控制 转速监测 超速或滞速判别 光电开关式标志传感器 透明薄膜上标志检测 电度表转速检测 仪表指针位置检测 标志检测 作业题 什么是内光电效应、外光电效应、光生伏特效应？ 光电传感器中光敏电阻、光电管、光电池各利用何种物理效应？ 描绘光电式转速传感器、位移传感器、力传感器、加速度传感器、温度传感器示意图？简要说明原理。 思考题 PN结可以看做N型半导体、P型半导体以及极性介电体（PN结区）三部分组成，其中结区是否有压电性和热释电性? 一些压电体和热释电体是否可以同时有压电性、热释电性、以及三大光电效应？若有，在传感器设计上有何特殊用途？ 利用的是PN结受光照后产生电动势的光生伏特效应。 硅光电池也称硅太阳能电池，它是用单晶硅制成，在一块N型硅片上用扩散的方法掺入一些P型杂质而形成一个大面积的P-N结，P层做得很薄,从而使光线能穿透到P-N结上。硅太阳能电池具有轻便、简单，不会产生气体或热污染，易于适应环境。因此凡是不能铺设电缆的地方都可采用太阳能电池，尤其适用于为宇宙飞行器的各种仪表提供电源。 当P型和N型半导体结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层，界面的P型一侧带负电，N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区与空穴复合，P区的空穴会扩散到N区与电子复合，扩散后在N区一侧留下带正电的杂质离子（不是主元素离子），P区一侧留下带负电的杂质离子。就形成了一个由N区的正杂质离子指向P区的负杂质离子的“内电场”，从而阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成“内”电势差，这就是P－N结。至今为止，大多数太阳能电池厂家都是通过扩散工艺，在P型硅片上形成N型区，在两个区交界就形成了一个P－N结（即N+／P）。太阳能电池的基本结构就是一个大面积平面P－N结。此时P区和N区仍呈电中性。（pn结区不属于P区和N区，而是单独的） 光生伏特效应 当P-N结受光照时，样品对光子的本征吸收（价带到导带）和非本征吸收（杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收和晶格吸收等）都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。因P区产生的光生空穴，N区产生的光生电子属多子，都被势垒阻挡而不能过结。只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对（少子）扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，即电子空穴对被内建电场分离。这导致在N区边界附近有光生电子积累，在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区。此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差，P端正，N端负。如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线，接通负载，则外电路便有电流通过，如此形成的一个个电池元件，把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流，输出功率。 光敏二极管的P-N结装在管的顶部,上面有一个透镜制成的窗口，以便入射光集中在P-N结，如图a。光敏二极管在电路中往往工作在反向偏置（P负N正），没有光照时流过的反向电流（即从N流向P的电流）很小，因为这时P型材料中的电子和N型材料中的空穴很少。但当光照射在P-N结上时，结区内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的反向电流随着光照强度的增加而剧增，此时的电流称为光电流。其特点是体积小，频率特性好，弱光下灵敏度低。（原理同光敏电阻相似）。（PN结电场抑制多子的流动，利于少子的流动） 光敏二极管又称光电二极管，它是一种光电转换器件，其基本原理是光照到P-N结上时，吸收光能并转变为电能。它具有两种工作状态： （1）当光敏二极管加上反向电压时，管子中的反向电流随着光照强度的改变而改变（由于光生少子的数目变化），光照强度越大，反向电流越大，大多数都工作在这种状态。（反向偏置，P区和N区只能靠少子向对方流动实现电流，但少子在无光照时数量极少，所以电流很弱，近似断路状，光照下少子增加（当然多子也增加），反向电流（光电流）增加）。 （2）光敏二极管上不加电压，利用P-N结在受光照时（P区和N区的光生少子在结电场作用下流向对方）产生正向电压的原理，把它用作微型光电池。这种工作状态，一般作光电检测器。 （耗尽层、pn结（区）、空间电荷区意义相同） 光敏三极管的结构与光