半导体激光器教学课件.ppt

LOGO 6-5 半导体激光器 半导体激光器的发明 半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉-巴索夫的工作最为杰出。 　　在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。 半导体激光器的历史 1962年，hall发明了同质激光器（两端面垂直抛光制 成反射镜构成谐振腔）。 1963年，邦德（Bond）报道了利用自然解理面作为 反射镜的同质激光器。 1963年，Kroemor提出异质结激光器的设计理论。 1967年，伍德尔（Woodall）利用液相外延技术在GaAs 上生长了宽带系的AlxGa1-xAs层。 1967-1969年，Hayashi和Panishi先后研制出了单异质 结激光器和双异质结激光器。 1970年，Alforow也报道了其研制出的DH激光器实