实验十太阳电池伏安特性测量.pptVIP

一、简介太阳能电池的结构 以晶体硅太阳电池为例，其结构示意图如图7-1所示。晶体硅太阳电池以硅半导体材料制成大面积pn结进行工作。一般采用n+/p同质结的结构，即在约10cm×10cm面积的p型硅片（厚度—0.3μm）的经过重参杂的n型层。然后在n型层上面制作金属栅线，作为正面接触电极。在整个背面也制作金属膜，作为背面欧姆接触电极。这样就形成了晶体硅太阳电池。为了减少光的反射损失，一般在整个表面上再覆盖一层减反射膜。 二、简介光伏效应 当光照射在距太阳电池表面很近的pn结时，只要入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽Eg，则在p区、n区和结区光子被吸收会产生电子-空穴对。如果外电场处于开路状态，那么这些光生电子和空穴积累在pn结附近，使p区获得附加正电荷，n区获得附加负电荷，这样在pn结上产生一个光生电动势。这一现象称为光伏效应 三、太阳电池的表征参数 1、短路电流：Isc=Iph Iph为与入射光的强度成正比的光生电流， 2、开路电压： 3、最大功率Pm Pm=ImVm 式中Im和Vm分别为最佳工作电压 4、填充因子FF 最大功率Pm与Isc与Voc乘积之比 FF= FF为太阳电池的重要表征参数，FF愈大则输出的功率愈高。FF取决于入射光强、材料的禁带宽度、理想系数、串联电阻和并联电阻等。 5、太阳电池的等效电路 四、太阳能电池的伏安特性 六、实验过程： 将太阳光伏组件，负载电阻R0、R1、R2通过接线板连成回路，同时，把路端电压连接到数据采集器CH1输入端，把R0二端的电压接入数据采集器CH2输入端，并设置数据采集器X轴为CH1，Y轴为CH2。改变负载电阻R1和R2，采集流经负载的电流I和负载上的电压V，即可得到该光伏组件的伏-安特性曲线。测量过程中辐射光源与光伏组件的距离要保持不变，以保证整个过程中是在相同光照度下进行的。 分别测量以下几种条件下光伏组件的伏-安特性曲线 ① 辐射光源与光伏组件的距离为60cm； ② 辐射光源与光伏组件的距离为80cm； ③ 辐射光源与光伏组件的距离为80cm，并且电池板转过一角度（如30o度）；（演示实验） ④ 辐射光源与光伏组件的距离为80cm，将两组光伏组件串联； ⑤ 辐射光源与光伏组件的距离为80cm，将两组光伏组件并联。 关键步骤 根据采集的图像曲线变化情况，来调节R1或R2 在旋动R1或R2时，注意旋动的速度。 实验数据及处理 1、数据记录 2、用计算机处理数据 3、画出不同条件下的各种曲线 （1）光伏组件的伏-安特性曲线； （2）光伏组件的输出功率P随负载电压V的变化； （3）光伏组件的输出功率P随负载电阻R的变化。 如：辐射光源与光伏组件的距离为80cm； 伏安特性 不同条件下的各物理量比较 * * 实验十 太阳电池伏-安特性测量 五、实验电路 太阳能电池 确定不同条件下光伏组件的短路电流Isc，开路电压Voc，最大功率Pm，最佳工作电流Im、工作电压Vm及负载电阻Rm，填充因子FF，并将这些实验数据列在一表格内进行比较。 *