传导电流＋磁化电流.pptVIP

二、铁磁质的理论解释 磁畴(magnetic domain) ：原子间电子交换耦合作用很强，促使其自旋磁矩平行排列形成磁畴－－自发的磁化区域。体积约为 10-10~10-8 m3 。 磁畴 在无外磁场时，各磁畴排列杂乱无章，铁磁质不显磁性； 在外磁场中，各磁畴沿外场转向，介质内部的磁场迅速增加，在铁磁质充磁过程中伴随着发声、发热。 Bo 铁磁性主要来源于电子的自旋磁矩。 随着外磁场增加，能够提供转向的磁畴越来越少，铁磁质中的磁场增加的速度变慢，最后外磁场再增加，介质内的磁场也不会增加，铁磁质达到磁饱和状态。 磁饱和状态 H B o a b c d 起始磁化曲线 饱和磁化强度MS等于每个磁畴中原来的磁化强度，该值很大，这就是铁磁质磁性?r大的原因。 * 1、顺磁质： 2、抗磁质： 3、铁磁质： 4、超导体: 磁介质的分类 5、真空中: 顺磁质和抗磁质磁化的微观机制不同 抗磁质主是由分子产生感应磁矩形成——感应磁化 顺磁质主要是由分子磁矩规则取向形成——取向磁化 磁化强度 磁介质中单位体积内分子磁矩的矢量和 代表 内第个 i 分子的磁矩 抗磁质： 是指分子磁矩； 方向与 同 方向与 同 是指分子附加磁矩， 方向与 反 方向与 反 顺磁质： 磁化电流线密度与磁极化强度： 磁化电流与磁极化强度关系： §3 介质中的磁场 磁场强度 作用总是相互的，既然磁场对磁介质有磁化作用， 那么被磁化后的介质反过来也将影响原来的磁场分布 下面进一步讨论磁化后的介质对磁场产生的影响， 以及有磁介质时如何描述磁场的规律， 并介绍场量和磁化强度普遍关系 介质中磁场的磁感应强度 外磁场 由磁化电流产生 一、介质中磁场的高斯定理 二、介质中磁场的安培环路定理 穿过以回路为边界的任一曲面的总电流(传导电流＋磁化电流) 是导线中的传导电流激发的磁场和磁介质中的磁化电流产生的附加磁场的矢量和 困难所在： 对比电介质学习： 考虑无限长直电流情况 (磁场强度) SI中H之单位：A/m 取闭合回路l 剥去外围磁介质 物理意义：磁场强度沿闭合路径的线积分，等于环路所包围的传导电流的代数和。 有介质时的安培环路定理 注意： 的环流只与传导电流有关，在形式上与磁介质无关 H 的单位： 真空： A/m （ SI ）； 三、各向同性的磁介质 表示了磁介质中任意点处 磁感应强度 、 磁场强度 和磁化强度 之间的普遍关系 可以写成 各向同性磁介质，在外场不太强的情况下 实验证明： 与 成正比 只与介质的性质有关，称为磁介质的磁化率 如果介质是不均匀的 是空间位置的函数 如果介质是均匀的 是常数 代入 令 磁介质的相对磁导率 磁介质的磁导率 顺磁性： 抗磁性： ?r1 ? r2 界面 在两种不同的磁介质分界面两侧B和H一般要发生突变，但必须遵循一定的边界条件。 在磁导率分别为?r1和?r2的分界面处作一扁平的柱状高斯面, 对此高斯面运用磁场高斯定理 ?S 四、边界条件 即 或 ，表示从一种介质过渡到另一种介质，磁感应强度的法向分量不变。 在介质分界面处作一矩形的回路abcda，使两长边分别处于两种介质中与界面平行，短边很小 即 H1t=H2t，表示从一种介质过渡到另一种介质，磁场强度的切向分量不变。 假设在界面上不存在传导电流，根据安培环路定理有 b a c d 取切向单位矢量t 的方向沿界面向上。 ?r1 ? r2 界面 ?l 利用磁高斯定理和安培环路定理可证明：在不同介质交界面两侧的磁场满足如下边界条件： 电介质中的高斯定理 磁介质中的安培环路定理 称为相对电容率 或相对介电常量。 之间的关系 之间的关系 称为相对磁导率 磁导率 介电常数 静电场与静磁场的比较 静电场 静磁场 （稳恒磁场） 物理量 高斯定理 环路定理 性质方程 (各项同性且 外场不太强） 例1：半径为R1的一无限长载流直导线，沿轴向有电流强度为I的均匀电流，其外包围一层半径为R2的磁介质，相对磁导率 (2) 介质内外界面上的束缚电流密度 求 解 根据磁介质的安培环路定理 (1) 磁介质中的磁化强度和磁感应强度 由磁化强度与束缚电流密度的关系 内界面: 外界面: 例2：有两个半径分别为r和R的“无限长”同轴圆筒形导体，在它们之间充以相对磁导率为 ?r 的磁介质。 当两圆筒通有相反方向的电流 I 时，试求： (1)磁介质中任意点P的磁感强度的大小； (