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引言 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.3 沟道电导与阈值电压 6.3 沟道电导与阈值电压 6.3 沟道电导与阈值电压 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.8 MOS场效应晶体管的类型 6.8 MOS场效应晶体管的类型 6.8 MOS场效应晶体管的类型 6.4.3 实际MOS阈值电压和C-V曲线 平带电压 （6-65） （6-66） 阈值电压 第一项是，为消除半导体和金属的功函数差的影响，金属电极相对于半导体所需要加的外加电压； 第二项是为了把绝缘层中正电荷发出的电力线全部吸引到金属电极一侧所需要加的外加电压； 第三项是支撑出现强反型时的体电荷 所需要的外加电压； 第四项是开始出现强反型层时，半导体表面所需的表面势。 ● 学习要求 画出铝－二氧化硅－硅系统的能带图。根据能带图说明（6-56） 了解在二氧化硅、二氧化硅－硅界面系统存在的电荷及其主要性质。 了解平带电压公式（6-58）、（6-64）。 掌握实际阈值电压的公式及各项的意义。 6.5.1 基本结构和工作过程 图6-15 MOSFET的工作状态和输出特性：（a）低漏电压时 6.5.1 基本结构和工作过程 图6-15 MOSFET的工作状态和输出特性：（b）开始饱和 6.5.1 基本结构和工作过程 图6-15 MOSFET的工作状态和输出特性：（c）饱和之后 6.5.2 静态特性 图6-16 N沟道MOS晶体管 6.5.2 静态特性 1、线性区 在下面的分析中，采用如下主要假设： （1）忽略源区和漏区体电阻和电极接触电阻； （2）沟道内掺杂均匀； （3）载流子在反型层内的迁移率为常数； （4）长沟道近似和渐近沟道近似，即假设垂直电场和水平电路是互相独立的。 1、线性区 感应沟道电荷： （6-68） （6-69） （6-70） （6-67） 漂移电子电流 （6-70）式称为萨支唐（C.T. Sah）方程。是描述MOSFET非饱和区直流特性的基本方程。 例题： 采用6.4节例题中的MOS结构作为一个MOSFET。已知下列参数： ， 。计算 和 时的 。 解：由于在6.3节中给出 将此值代入（6-70）并令 得 将 代入上式 考虑到沟道电压的作用 于是 图6-17 式（6-70）和式（6-72）的比较 2、饱和区 假设在L点发生夹断， 则 （6-73） （6-74） 把式（6-73）代入式（6-70）得 此式在开始饱和时是有效的。超过这一点，漏极电流可看作是常数。 2、饱和区 图6-18 N沟道MOSFET的电流?电压特性 ● 学习要求 画出结构示意图说明了MOS场效应晶体管工作原理。 导出萨支唐方程（6-70）。 导出漏电流修正为公式（6-72）。 说明夹断条件（6-73）的物理意义。 导出饱和区I－V特性公式（6-74）。 （6-76） （6-75） 1、线性导纳 （6-77） 对式（6-70）求导数，得导纳 线性区的电