掺杂元素对氧空位形成的影响.pptVIP

掺杂元素对CeO2氧空位形成的影响;内容; CeO2材料由于其优异的氧化还原性能而广泛地应用于三效催化（TWCs）和SOFCs中。 在催化反应过程中，CeO2可依据反应条件的不同来释放活存储氧：在贫氧气氛下释放氧并生成氧空位；在富氧环境下氧空位又能被还原而达到存储氧的目的。 该过程涉及到氧空位的形成，因此，提高材料的氧空位形成能力对其催化性能的影响有非常重要的作用。 研究表明，掺杂对提升氧空位形成能力有非常显著的作用。;1. Cu掺杂的影响;定义氧空位形成能Evac依如下所示计算：;当在Cu的（NN）位引入一个氧空位时，如左图所示，计算所得Evac值为0.98ev，而未掺杂时这个值为3.28ev，如下表1所示。此时Cu与三个氧原子配位，氧空位周围的三个Ce离子都是以四价形式存在（未掺杂时氧空位周围的四个Ce离子有两个是以三价存在）。;表1. 未掺杂和Cu掺杂CeO2体系的氧空位形成能;当在Cu的（NNN）位引入一个氧空位时，所需的能量仅为0.30ev（如表1所示）。此时Cu与4个氧配位，Cu-O键长与CuO晶体中的类似，如图所示。氧空位周围的三个Ce离子也都是以四价形式存在。;当在Cu的（NNN）位的氧空位的邻位再引入一个氧空位时，如右图所示，计算所得第二个氧空位形成能Evac为2.39ev，同样小于未掺杂时的值（3.28ev）。 由此，我们可以把Cu掺杂看做氧空位形成的引发剂。; 计算表明，在（NNN）位引入一个氧空位后，CeO1.97和Ce0.97Cu0.03O1.97弛豫，分别可产生1.40ev和2.79ev的能量，由此可知，Cu掺杂体系与未掺杂体系相比，由于弛豫作用可多产生1.39ev能量，这是由Cu离子半径比Ce半径小引起的。 而另外所需的1.59ev（3.28ev-0.30ev-1.39ev所得）则是出自于Cu掺杂所引起的电子结构的改变。 当在（NNN）位的氧空位的邻位再引入一个氧空位后，体系弛豫能为1.05ev，比带有一个氧空位的未掺杂体系的弛豫能（1.40ev）小0.35ev。而此时的Evac相对于未掺杂体系形成第一个氧空位的Evac小0.89ev。可将这种现象归咎于掺杂引起的电子结构的改变。; 由以上可知，在Cu掺杂CeO2体系中，第一个和第二个氧空位的形成能都较未掺杂体系的小。对于第一??氧空位的形成， Cu掺杂CeO2体系其所需的能量低的原因一半是电子效应的贡献，一半是结构弛豫效应的影响。对于第二个氧空位的形成，则完全是电子效应的贡献（由于此时弛豫能比未掺杂体系的还要低）。;2. Pd和Ni掺杂的影响; 在（111）面，Pd取代Ce原子位置，接着结构发生弛豫，Pd与四个氧原子（2个表面氧2个第三层氧）配位。Ni掺杂（111）面，Ni也是与4个氧原子（2个表面氧2个第四层氧）配位，形成近平面结构。 在（110）面，Pd断裂与亚表面氧原子之间的键，维持四配位结构；Ni断裂两个与外表面氧原子之间的键，形成一个近平面的四配位结构。;; 对于两种掺杂剂，最易形成第二个氧空位的位置不是直接与掺杂原子相连的氧原子，如图5所示中的I位。由于将直接与掺杂原子相连的氧原子移去会破坏掺杂原子的近平面配位结构，因此较难。如图5中（111）面的III位和（110）面的II位。这两个位置的氧空位形成能甚至都要比未掺杂表面的大。 对于这样的解释，同样可用于上面Cu掺杂时的情况，（NNN）位形成氧空位不破坏Cu的近平面四配位结构，故而交易发生。;3.总结;参考文献;谢谢大家