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SEM 一、背散射电子成像 在原子序数Z小于40的范围内，背散射电子的产额对原子序数十分敏感。 原子序数衬度原理 原子序数对背散射电子产额的影响 一、背散射电子成像 因此，在进行分析时，样品上原子序数较高的区域中由于收集到的背散射电子数量较多，故荧光屏上的图像较亮。 利用原子序数造成的衬度变化可以对各种金属和合金进行定性的成分分析。样品中重元素区域相对于图像上是亮区，而轻元素区域则为暗区 原子序数衬度原理 一、背散射电子成像 ZrO2-Al2O3-SiO2系耐火材料的背散射电子成分像，1000× 由于ZrO2相平均原子序数远高于Al2O3相和SiO2 相，所以图中白色相为斜锆石，小的白色粒状斜锆石与灰色莫来石混合区为莫来石－斜锆石共析体，基体灰色相为莫来石。 二、吸收电子成像 吸收电子的产额与背散射电子相反，样品的原子序数越小，背散射电子越少．吸收电子越多，反之样品的原子序数越大，则背散射电子越多，吸收电子越少。 因此，吸收电子像的衬度是与背散射电子和二次电子像的衬度互补的。背散射电子图像上的亮区在相应的吸收电子图像上必定是暗区。 二、吸收电子成像 铁素体基体球墨铸铁拉伸断口的背散射电子像和吸收电子像 背散射电子像，黑色团状物为石墨 吸收电子像，白色团状物为石墨 扫描电镜的主要特点 分辨率高 放大倍率高（M=Ac/As） 景深D大（Ds≈ 2ΔR0/β） 保真度好 样品制备简单 一、分辨率高 扫描电子显微镜分辨率的高低和检测信号的种类有关。主要信号的分辨率如下表： 信号 二次电子 背散射电子 俄歇电子 吸收电子 特征X射线 分辨率 nm 5~10 50~200 5~10 100~1000 100~1000 * * 扫描电子显微镜 引言 电子与固体试样的交互作用 扫描电镜结构原理 表面形貌衬度原理与应用 原子序数衬度原理与应用 扫描电镜的主要特点 扫描电子显微镜的简称为扫描电镜，英文缩写为SEM (Scanning Electron Microscope)。它是用细聚焦的电子束轰击样品表面，通过电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等对样品表面或断口形貌进行观察和分析。现在SEM都与能谱（EDS）组合，可以进行成分分析。所以，SEM也是显微结构分析的主要仪器，已广泛用于材料、冶金、矿物、生物学等领域。 引　　言 电子与固体试样的交互作用 　　一束细聚焦的电子束轰击试样表面时，入射电子与试样的原子核和核外电子将产生弹性或非弹性散射作用，并激发出反映试样形貌、结构和组成的各种信息，有：二次电子、背散射电子、阴极发光、特征X 射线、俄歇过程和俄歇电子、吸收电子、透射电子等。 样　　品 入射电子 Auger电子 阴极发光 背散射电子 二次电子 X射线 透射电子 一、背散射电子 背散射电子是被固体样品中的原于反弹回来的一部分入射电子。 弹性背散射电于是指被样品中原于核反弹回来的，散射角大于90度的那些入射电子，其能量没有损失。 非弹性背散射电子是入射电子和样品核外电子撞击后产生的非弹性散射，不仅方向改变，能量也不同程度的损失。如果逸出样品表面，就形成非弹性背散射电子。 可进行微区成分定性分析 二、二次电子 二次电子是指在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品的核外层电子。 二次电子的能量较低，一般都不超过50 ev。大多数二次电子只带有几个电子伏的能量。 二次电子一般都是在表层5-10 nm深度范围内发射出来的，它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效地显示样品的表面形貌。 不能进行微区成分分析 三、吸收电子 入射电子进人样品后，经多次非弹性散射能量损失殆尽,最后被样品吸收。 当电子束入射一个多元素的样品表面时，则产生背散射电子较多的部位(原子序数大)其吸收电子的数量就较少。 可进行微区成分定性分析。 四、透射电子 如果被分析的样品很薄．那么就会有一部分入射电子穿过薄样品而成为透射电子。 它含有能量和入射电子相当的弹性散射电子，还有各种不同能量损失的非弹性散射电子。 可进行微区成份定性分析 五、特征Ｘ射线 当样品原子的内层电子被入射电子激发，原子就会处于能量较高的激发状态，此时外层电子将向内层跃迁以填补内层电子的空缺，从而使具有特征能量的Ｘ射线释放出来。 用Ｘ射线探测器测到样品微区中存在一种特征波长，就可以判定这个微区中存在着相应的元素。 　六、俄歇电子 在特征x射线过程中，如果在原子内层电子能级跃迁过程中释放出来的能量并不以X射线的形式发射出去，而是用这部分能量把空位层内的另—个电子发射出去，这个被电离出来的电子称为～。 俄歇电子能量各有特征值，能量很低，一般为50-1500eV. 俄歇电