试验一半导体晶面的光学定向.docVIP

PAGE PAGE 71 半导体专业基础实验讲义 自动化与信息工程学院 电子工程系 目 录 实验一 半导体晶面的光学定向…………………………………1 实验二 硅单晶中晶体缺陷的显示………………………………9 实验三 “四探针法”测量半导体电阻率和薄层电阻…………15 实验四 半导体霍尔系数及电阻率测量…………………………21 实验五 “光电导法”测量半导体少子寿命……………………27 实验六 用“汞探针”测量外延层杂质浓度分布………………35 实验七 MOS结构高频电容—电压特性测量………………………40 实验八 硅单晶中氧、碳含量的测量 ……………………………46 附录 相关测试国家标准 …………………………………………54 实验一 半导体晶面的光学定向 一、实验目的： 硅单晶中原子按金刚石结构排列。在不同方向上，原子的排列和原子间距不同，原子间键合情况也不一样，因此，其物理化学性质也各不相同。例如：晶面的法向生长速度、腐蚀速度、氧化速度、杂质扩散速度以及晶面的解理特性等等都和晶体取向有关。在科研和生产中测定半导体单晶晶轴方向常常是必不可少的。通常可以用X射线衍射法或光学方法测定硅单晶轴，激光测定硅单晶晶面方向设备简单，测试方便，已广泛地用于产品检验。 本实验的目的是：，学会使用激光测定硅单晶的111、110、100晶轴，并标定观察到的反射光斑所对应的晶面；掌握X射线法测定硅单晶取向的原理和方法。 二、实验原理： 1、光学反射图像法定向。光学反射图像法定向根据单晶体解理面的光反射性和晶体结构的对称性来实现晶体的晶面(轴)定向的。它的工作原理是用激光光点反射仪测定晶体表面的光反射图形的形状和位置，从而确定晶面(轴)的方向。 选用适当的预处理工艺，其主要有腐蚀法和解理法两种，使预测单晶端面上暴露出某种与结晶学构造有关的表面结构(腐蚀坑或解理面)，当一细的平行光束投射在此端面上时，其反射光即按端面上与结晶学构造有关的表面结构，在光屏上显示出特征光图。由于立方晶系的低指数轴均有严格的轴对称性，因而围绕这些晶轴的腐蚀坑或解理面及其反射出来的特征光图也具有严格的轴对称性。 下面分别叙述用腐蚀法和解理法在单晶端面上获得的表面结构与特征光图的情况。 （1）腐蚀 在进行腐蚀之前，应先将晶体端面用80#金刚砂在平板玻璃上湿磨，使端面均匀打毛，洗净后，按指定的腐蚀工艺条件(表l.1)进行腐蚀。 表1.1腐蚀预处理工艺 晶体材料 腐蚀液配方 腐蚀温度（℃） 腐蚀时间（分） Ge HCL(49%)∶H2O2(30%)∶H2O=1∶1∶4 25 7 Si 5%NaOH水溶液 沸腾 7—15 GaAs(Ga面) HNO3(60%)∶H2O=1∶1 室温 7 GaAs(As面) HF(46%)∶HNO3(60%)∶H2O=3∶1∶2 室温 7 图1.1硅（111）面的典型腐蚀坑经过腐蚀的硅单晶的{111}或{100}、{1l0}截面上会出现许多腐蚀坑，腐蚀坑底的平面平行于上述截面，而其边缘上的几个侧面是另一些具有特定的结晶学指数的晶面族，这些侧面按轴对称的规律围绕着腐蚀坑的底面，就构成各种具有特殊的对称性的腐蚀坑构造。腐蚀坑的线度约为10μm的数量级，而激光束的直径约为1mm．因而同一束激光可以照射到许多腐蚀坑。腐蚀坑的形状不尽完整。在表面上的分布也不规则，但每个腐蚀坑中相应的侧面都严格取相同的方向。图l.1是{111}面的典型腐蚀坑，其腐蚀坑具有三个{111}的侧面和一个{111}的底面，当一平行激光束投射到截面上时，即发生四个方向的反射。如将该晶体置于定向仪的晶体夹具上，调整各个方位的调整机构，使被测晶轴的方向调整到与入射的激光轴相平行的位置，则在光屏上 图1.1硅（111）面的典型腐蚀坑 就会显示出反映晶轴对称性的特征光图，如图l.2所示。 图1.2 低指数晶面腐蚀坑及其对应光像图 地支属（2） 图1.2 低指数晶面腐蚀坑及其对应光像图 地支属 将待测晶锭的一端先磨成锥形，在盛有80#金刚砂的研钵中研磨，使锥形端面上解理出许多微小的解理面，这些解理面部是按特定的晶向解理出来的，因而包含着结晶学构造中的各种方向特征。图1.3是面心立方晶系{111}、{100}、{110}各晶面相对位置的示意图。对硅单晶一类的全刚石结构，其一级解理面为{111}，这是因为此晶面族之间原子间距最大，键合力最小、最容易在外力作用下发生解理。从图l.3可以看出：[110]是一根二次轴，其周围有两个对称的解理面（111） 图1.3 各{111}、{110}、{100}晶面间的相互位置和（111），如果（110）晶轴与激光束平行，则从（111）、（111）解理面上反射得到的特征光图呈二次轴对称性。而（100）是一根四次轴，其周围有四个解理面：（111）