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开关电源EMI产生机理及整改经验总结 整理：柏自飞 共模（CM）干扰 变换器工作在高频情况时，由T dv/dt很高，激发变压器线圈间、以 及开关管与散热片间的寄生电容，从而产生了共模干扰。如图1所示，共 模干扰电流从具有高dv/dt的开关管出发流经接地散热片和地线，再由高 频LISN网络（由两个50 Q电阻等效）流回输入线路。 图1典型开关变换器中共模、差模干扰的传播路径 根据共模干扰产生的原理，实际应用时常采用以下几种抑制方法： 1） 优化电路器件布置，尽量减少寄牛、耦合电容。 2） 延缓开关的开通、关断时间。但是这与开关电源高频化的趋势不 符。 3） 应用缓冲电路，减缓dv/dt的变化率。 差模（DM）干扰 开关变换器中的电流在高频情况下作开关变化，从而在输入、输出的 滤波电容上产生很高的di/dt,即在滤波电容的等效电感或阻抗上感应了干 扰电压。这 时就会产生差模干扰。故选用高质量的滤波电容（等效电感或阻抗很 低）可以降低差模干扰。 辐射干扰的产生和传播 辐射干扰乂可分为近场干扰（测量点与场源距离t;X/6 （ X为干扰电 磁波波长））和远场干扰（测量点与场源距离gt; x /6）o由麦克斯韦电磁 场理论可知，导体屮变化的电流会在其周围空间屮产生变化的磁场，而变 化的磁场又产生变化的电场，两者都遵循麦克斯韦方程式。而这一变化电 流的幅值和频率决定了产生的电磁场的大小以及其作用范围。在辐射研究 屮天线是电磁辐射源，在开关电源电路中，主电路屮的元器件、连线等都 可认为是天线，可以应用电偶极子和磁偶极子理论来分析。分析时，二极 管、开关管、电容等可看成电偶极子；电感线圈可以认为是磁偶极子； 1MHZ以内，以差模干扰为主。（整改建议） 1 ?增大X电容量； 添加差模电感； 小功率电源可采用PI型滤波器处理（建议靠近变压器的电解电容 可 选用较大些）。 1MHZ-5MHZ,差模共模混合，采用输入端并联一系列X电容來 滤除差摸干 扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，（整改建议） 对于差模干扰超标可调整X电容量，添加差模电感器，调差模电感 量； 对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量來抑制； 也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107 一对普 通整 流二极管lN4007o 三?5M以上，以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法（整改建议） 对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ 以上干 扰有较大的衰减作用；可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环. 处理后端输岀整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。 四?20-30MHZ,（整改建议）1.对于一类产品可以采用调整对地 Y2电容量或改变Y2电容位置； 调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值； 在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕 组的排布。 改变 PCB LAYOUT； 输出线前面接一个双线并绕的小共模电感； 在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数； 在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE； 在变压器的输入电压脚加一个小电容。 可以用增大MOS驱动电阻. 五.30-50MHZ,普遍是MOS管高速开通关断引起。（整改建议）1. 可以用增大MOS驱动电阻； RCD缓冲电路采用1N4007慢管； VCC供电电压用1N4007慢管来解决； 或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感； 在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路; 在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE； 在变压器的输入电压脚加一个小电容； PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能 的 小； 变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 六.50-100MHZ,普遍是输出整流管反向恢复电流引起。 可以在整流管上串磁珠； 2 .调整输出整流管的吸收电路参数； 可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEAD CORE 或串接适当的电阻； 也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹 卡 MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点）； 5 ?增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。 200MHZ以上，开关电源己基本辐射量很小，一般均可过EMI标准。 辐射超标要先判定以下信息，通常整改的流程： 辐射超标的极化方向：是垂直还是水平？ 初步判定辐射器是什么？如果是电源适配器，你可以把输出线全部 放到测试桌上，这时AC输入线是垂直的，输出线是水平的。可以初步判 定辐射骚扰来自输入线还是输出线，当然还有一个因素可能是电源本身发 出的这要另外再分析。 3?判定骚扰信号的特性：共模还是差模？如果辐射骚扰水平和垂直都 存在的话，那这个骚扰的特性是共模的；如果是骚扰超标仅仅存在于水平 或是垂直，那就是差