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第26卷第11期 电 子 元 件 与 材 料 、bI26No
ELECTRoNICCOMPONENTSAND
2007年11月 MATERIALS Nov2007
新型高Q值U形缺陷地结构带阻滤波器
田 明1，张友俊1，张胜2，张凌1
(1．郑州大学信息工程学院，河南郑州45
0052；2．中国科学技术大学电子工程与信息科学系
安徽夸肥230027)
摘要：提出了一种新型的u形缺陷地结构(DGs)单元，该单元可以用来设计高Q值带阻滤波器。减小u形DGs
结构两臂的槽宽及槽之间的距离，或在u形槽内加上贴片，可以增大Q值。最后用三个级联的u型DGs结构设计了
3。
一个高Q值的带阻滤波器，实验结果表明所设计的滤波器的Q值为35
关键词：电子技术；缺陷地结构；Q值；带阻；微带线；滤波器
中图分类号：TN45：TN713文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2()07)11—0038一03
NoVel bandfilter U-slotDGS
high-Qstop byusing
TIAN
Min91，zHANGYou-junl，zHANGSheⅡ92，ZHANGLin91
ofInfomation
(1．School 450052，C ofElectronic
E“gineeri“g，zhe“gzhouUnjversi七y，zhe“gzhouhina；2D8pt E“gineedng
and
andIn轴rmation ofScience
Scjence；Unjversity Techn0109yofChina，He倒230027，Chjna)
Abstract：Anew thc llnewa8 forLhcuscinthc
structure(DGs)in
dercckd掣ound microstrippresented designofhigh—Q
nlterThefactorincreaSeswhentheslotwidthandtbe two thc
distancebetweenthe s10ts
band—s∞p Q ra却d】y decrease，or
coⅡductor wimin山e mfeecascadedU—slot 61时was
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