碳六十分子于铜金属表面经表面重构之量子传输特性.PDFVIP

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2019-08-02 发布于天津
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國立交通大學電子工程學系電子研究所碩士班碩士論文碳六十分子於銅金屬表面經表面重構之量子傳輸特性 Quantum Transport Properties of C60 Molecules on a Cu(111) Surface with Surface Reconstruction 研究生：謝耀賢指導教授：林炯源教授中華民國一００年十一月碳六十分子於銅金屬表面經表面重構之量子傳輸特性 Quantum Transport Properties of C60 Molecules on a Cu(111) Surface with Surface Reconstruction 研究生：謝耀賢 Student:Yao-Hsien, Hsieh 指導教授：林炯源博士 Advisor:Chiung-Yuan, Lin 國立交通大學電子工程學系電子研究所碩士班碩士論文 A Thesis Submitted to Department of Electronics Engineering Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Science in Electronics Engineering November 2011 Hsinchu, Taiwan, Republic of China 中華民國一００年十一月碳六十分子於銅金屬表面經表面重構之量子傳輸特性國立交通大學電子工程學系電子研究所碩士班研究生謝耀賢：指導教授：林炯源摘要本篇論文主要分為兩個部分，第一個部分我們探討單分子層吸附在金屬表面上時，其介面重構(reconstruct)與無重構(unreconstruct)對分子/金屬介面之導電行為造成的影響。當一個單層的分子層 (如 C 吸附在金屬) (如 Cu)表面時，由於分 60 子軌域與表面原子間存在交互作用，使得電子結構發生變化，所以在分子/金屬介面上，其電荷轉移現象非常複雜，而細微的介面結構足以影響分子電子元件的傳輸性質，進而造成龐大的宏觀現象。本篇論文主要是研究當單層 C60 分子吸附於 Cu(111)金屬表面上時，其介面重構與無重構對於分子/金屬介面電導性所造成的影響。而在理論架構的部份，我們以密度泛函理論 (Densi