第4章 MOS场效应晶体管.pptVIP

第4章 MOS场效应晶体管 ;4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质;1.理想MOS二极管的定义与能带 1）在外加零偏压时，金属功函数与半导体函数之间没有能量差，或两者的功函数差qφms为零 ;2）在任何偏置条件下，MOS结构中的电荷仅位于半导体之中，而且与邻近氧化层的金属表面电荷数量大小相等，但符号相反。 3）氧化膜是一个理想的绝缘体，电阻率为无穷大，在直流偏置条件下，氧化膜中没有电流通过。;2.表面势与表面耗尽区;在下面的讨论中，定义与费米能级相对应的费米势为;而空穴和电子的浓度也可表示为ψ的函数;通过以上讨论，以下各区间的表面电势可以区分为： Ψs0空穴积累（能带向上弯曲）； Ψs=0平带情况； ΨFΨs0空穴耗尽（能带向下弯曲）； ΨF=Ψs 表面上正好是本征的ns=ps=ni ΨFΨs 反型情况（反型层中电子积累，能带向下弯曲）。 ;电势与距离的关系，可由一维泊松方程求得;3.理想MOS结构的电容-电压特性; 在平带条件下对应的总电容称为MOS 结构的平带电容CFB;4.1.2 实际MOS 结构及基本特性;在实际的MOS结构中，金属-半导体功函数差不等于零，半导体能带需向下弯曲，如图所示，这是因为在热平衡状态下，金属含正电荷，而半导体表面则为负电荷;为了达到理想平带状况，需要外加一个相当于功函数差qфms的电压，使能带变为如下图所示的状况。;2.氧化层中电荷的影响;1）界面中陷阱电荷 2）氧化层中的固定电荷 3）氧化层陷阱电荷 4）可动离子电荷;1. MOS 晶体管的基本结构;2. MOS管的基本工作原理 ;4.2.2 MOS 场效应晶体管的转移特性;2. N沟耗尽型MOS管及转移特性;4. P沟耗尽型MOS管及转移特性;4.2.3 MOS 场效应晶体管的输出特性;它的输出特性曲线则如下图所示：;1. 可调电阻区(线性工作区);2. 饱和工作区;3. 击穿工作区;4.3 MOS场效应晶体管的阀值电压4.3.1 阀值电压;2. 理想 MOS 结构的阀值电压;3. 实际 MOS 结构的阀值电压;4.3.2 影响阀值电压的其他诸因素;3. 衬底杂质浓度的影响;4. 功函数差的影响;5. 费米势的影响;综上所述，MOS场效应晶体管的阀值电压与栅氧化层的厚度、质量、表面态电荷密度、衬底掺杂浓度、功函数差和费米势等有关。但对于结构一定的器件，在制造工艺中，能有效调节阀值电压的方法，主要是通过调整衬底或者沟道的掺杂浓度来实现的。 ;4.4 MOS 场效应晶体管的直流伏安特性;5) 当对MOS管同时施加栅源电压UGS和漏源电压UDS时，栅源电压将在垂直与沟道的x方向（见下图）产生纵向电场Ex，使半导体表面形成反型导电沟道；漏源电压将在沟道方向产生横向电场Ey，在漏源之间产生漂移电流。;4.4.1 伏安特性方程基本表示式;1. 线性工作区的伏安特性;2. 非饱和区伏安特性;线性工作区对应上图的直线段1 非饱和区对应与曲线上的段2 饱和区则对应于曲线上的段3 ;4.4.2 亚阀区的伏安特性 ;;1. 漏区-衬底之间的PN结击穿;2. 漏-源穿通;3. 最大栅源耐压BUGS;4.4.4 输出特性曲线与直流参数; 不同USB值下的MOSFET输出特性曲线 a) USB=0V b) USB=1V c) USB=2V d) USB=4V;2. 直流参数;3) 截止漏电流 4) 导通电阻 定义漏源电压与漏电流之比为导通电阻Ron;4.5 MOS场效应晶体管的频率特性4.5.1 MOS场效应晶体管的交流小信号参数;显然可见,MOS管的跨导越大,电压增益也越大.跨导的大小与各种工作状态有关. 非饱和区跨导gml 饱和区跨导gms 衬底跨导gmb;2. 漏-源输出电导gdl;4.5.2 MOS场效应晶体管交流小信号等效电路; NMOS小信号等效电路; NMOS 小信号物理模型;4.5.3 MOS 场效应晶体管的高频特性;4.6 MOS场效应晶体管的开关特性4.6.1 MOS场效应晶体管的开关作用; 倒相器的输入、输出波形; 饱和负载增强型倒相器工作原理示意图 a) 电路 b)工作点;4.6.2 MOS场效应晶体管的开关过程;4.6.3 MOS场效应晶体管的开关时间计算;1. 非本征开关时间表示式;2. 本征延迟开关时间表示式;4.7 MOS场效应晶体管的温度特性4.7.1 迁移率随温度的变化;4.7.2 阀值电压的温度特性;4.7.3 MOS场效应晶体管几个主要参数的温度特性;2) 跨导的温度特性 跨导的温度系数为 ;2.