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第11章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础;11.1 双端MOS结构;11.1.1 能带图;多子积累：
1）能带（向上）弯曲并接近EF；
2）多子（空穴）在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。
;多子耗尽：
1）表面能带向下弯曲；
2）表面上的多子浓度比体内少得多，基本上耗尽，表面带负电。;少子反型：
1）Ei与EF在表面处相交（此处为本征型）；
2）表面区的少子数多子数——表面反型；
3）反型层和半导体内部之间还夹着一层耗尽层。;图 11.4 p型衬底MOS电容器的能带图;图 11.7 n型衬底MOS电容器的能带图 (a)加正栅压 (c)加小负栅压 (c)加大负栅压
;11.1.2 耗尽层厚度;;11.1.3 功函数差;图 11.13 p型衬底MOS结构加零栅压时的能带图 (a) n多晶硅栅 (b) p多晶硅栅;复合系数;;10.3.3 小结;11.1.5 阈值电压;;11.1.5 电荷分布;11.2 电容-电压特性;多子耗尽MOS电容：;少子反型MOS电容：;图 11.27 p???衬底MOS电容器 C-V特性;11.2.2 频率特性;11.2.3 固定栅氧化层和界面电荷效应;11.3 MOSFET基本工作原理;11.3.2 电流-电压关系;;图 11.41 n沟道增强型MOSFET I-V特性曲线;非饱和区：;11.3.3 电流-电压关系---数学推导;复合系数;因为;代入(11.45);;p沟器件;11.3.4 跨导;11.3.5 衬底偏置效应;;饱和区：;G-P模型相对于E-M模型考虑了更多的物理特性;11.4.2 频率限制因素与截止频率;;11.5 CMOS技术;;END
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