微系统封装技术概论.pptVIP

数字镜面显示（DMD） 改变反射方向 体硅工艺 体硅工艺的典型应用 微泵：具有两个单向阀，当电压施加到极板上时，变形膜向上运动，此时泵室体积增加，压力减小，进水阀打开，液体流进腔室。断电后，相反。泵的基本参数：变形膜面积4×4mm2，厚度25微米，间隙4微米，工作频率1～100Hz，典型值为25Hz，流量为70mL/min 加工工艺路线 驱动部分：可根据各种不同的结构采用高掺杂的硅膜、形状记忆合金、金属膜薄片等。 腔体制备：采用双面氧化的硅片，首先在硅片背面开出窗口（正面用光刻胶保护），放入HF，去除SiO2，去掉光刻胶，放入KOH，腐蚀Si，直到要求的膜厚为止 阀膜制备 阀膜制备 对双面氧化的硅片进行双面光刻 腐蚀SiO2、去除光刻胶、清洗 用KOH腐蚀硅片双面，腐蚀深度10～15微米 去除浅腐蚀面的SiO2（将深腐蚀面保护） 去浅腐蚀面用于键合的金属层 用密闭良好的夹具将有金属的一面保护，再用KOH进行深度腐蚀，直到腐蚀穿透整个硅片。剩下的硅膜即为阀膜厚度 最后将三部分键合到一起 静电微泵结构 表面微机械加工以硅片微基体，通过多层膜淀积和图形加工制备三维微机械结构。硅片本身不被加工，器件的结构部分由淀积的薄膜层加工而成，结构和基体之间的空隙应用牺牲层技术，其作用是支持结构层，并形成所需要的形状的空腔尺寸，在微器件制备的最后工艺中溶解牺牲层 表面工艺常用材料组合 表面加工要求所应用的材料是一组相互匹配的结构层、牺牲层材料 结构材料必须满足应用所需要的电学和机械性能，例如静电执行器（微电机和侧向谐振器）的导电结构和绝缘层。机械性能要求适中的残余应力、高的屈服断裂应力、低的蠕变和高的疲劳强度、抗磨损等 牺牲层材料应有好的粘结力、低的残余应力，同时既满足工艺条件又不产生相反作用等 表面工艺使用结构层与牺牲层材料组合 典型组合 多晶硅作为结构层材料，氧化硅作为牺牲层 以LPCVD淀积的多晶硅作为结构层材料，热生长或LPCVD淀积的氧化硅作为牺牲层材料已经广泛用于多晶硅的表面微机械，电学和机械性能均能满足结构层和牺牲层以及各种工艺的要求；腐蚀剂HF腐蚀氧化硅不会影响多晶硅，不会浸湿多晶硅且易清洗；同时该两种材料用于IC技术，其薄膜的淀积的刻蚀技术已经成熟 其它材料组合 如果用氮化硅作为多晶硅微机械的牺牲层，其主要缺点是多晶硅作结构材料时，难以腐蚀氮化硅，而且LPCVD淀积的氮化硅有较大的内应力，当薄膜厚度超过几百个纳米时，应力将引起薄膜的破裂。如果用Al作为牺牲层材料，则因为LPCVD淀积温度为630℃，超过Al的熔点；此外硅片和Al同时放入淀积多晶硅设备中易造成污染。 其它材料组合（续） 还有CVD钨作为结构层材料，二氧化硅作为牺牲层材料，用HF溶解牺牲层。在高宽比工艺中，Ni和Cu作为结构层，聚酰亚胺和其它金属（如铬）作为牺牲层等等，这些材料均有一定的局限性或在实验的初级阶段，有待进一步研究 其它材料组合（续） 聚酰亚胺/Al组成结构层和牺牲层材料，其特点是聚酰亚胺比多晶硅和氧化硅有更好的可塑性，因而可以承受较大的变形，并可在较低的温度下加工（低于400℃）；聚酰亚胺的缺点是秥弹性，容易产生蠕变 其它材料组合（续） 还要其它一些应用于表面微机械材料，如用LPCVD制备的氮化硅作为结构层材料。多晶硅作为牺牲层材料，通过淀积富硅膜降低氮化硅膜的残余应力，才能获得厚度几百纳米的氮化硅膜，而且KOH、乙二胺和邻苯二酚腐蚀剂来腐蚀多晶硅 牺牲层的要求 膜厚度须生长在可接受的公差内。不均匀的沉积导致表面粗糙或不平整。当空间缝隙很小（5微米），这个参数就尤为重要 须要脱开时，牺牲层必须整体地被去除掉 牺牲层的刻蚀选择率和刻蚀率必须很高，以便使结构的其它部位不被明显损伤 牺牲层的通道要求 可以采用水平或垂直式通道。刻蚀液通过开口慢慢穿过而除去牺牲层。开口必须足够大以便于处理刻蚀液，并缩短刻蚀时间。在长窄槽中，扩散效应会限制刻蚀率，应尽可能采用多处开口以缩短刻蚀时间 表面硅工艺的特点 表面工艺适用于微小结构的加工，结构尺寸的主要限制因素是加工多晶硅的RIE工艺 表面工艺的另一个特点是可实现微小可动部件的加工，而驱动或测量微器件最好的方式是静电力，所以在微机械中通常选择静电力作为驱动力 一个研究趋势是实现电子线路和微机械器件的集成，即首先在硅片上加工电子线路，再以兼容的工艺加工微机械零件，所以充分利用IC技术的设备和工艺具有特别的重要性 表面硅工艺的缺点 但表面工艺是一种平面工艺，因此对机械设计有局限性。 首先垂直方向的尺寸受到工艺的限制； 其次器件的横向尺寸的选择受到薄膜机械性能，特别是残余应力的影响； 目前IC设备淀积微机械厚膜效率低； 此外，微机械加工形成的表面形态的高低相差较大，通常可达几个微米 表面硅工艺的典型应用