六氟化硫气体的绝缘及在设备绝缘中的应用.pptVIP

SF6气体绝缘的应用及其理化特点 SF6的物理化学特性 无色、无味，具有的气体较高的电气强度，优良的灭弧性能，良好的冷却特性，不可燃。SF6气体的缺点是：放电时SF6会发生分解形成硫的低氟化物。这些产物有毒，并能腐蚀许多绝缘材料和导电材料，在较高的压力下，SF6会液化。 SF6气体绝缘的应用及其理化特点 分子量较大，（复合性强）较高压力下易液化，SF6绝缘通常使用范围（-40℃≤温度≤80℃，压力0.8MPa）内，温度低于-18℃时，需考虑SF6气体的液化问题。 SF6气体绝缘的应用及其理化特点 均匀电场中六氟化硫的击穿 SF6电气强度高的原因 (1)氟是卤族元素中电负性最强，因此SF6分子具有很强的电负性，容易吸附电子形成负离子，阻碍放电的形成和发展。 (2)SF6分子的直径大，电子在SF6气体中的平均自由行程短(约为0.22um)。而SF6的电离电位又大。因此减小了电子碰撞电离的可能性。 均匀电场中六氟化硫的击穿 (3)电子与SF6气体分子相遇时，还会因极化等过程增加能量损失，减弱其碰撞电离能力。 均匀电场中六氟化硫的击穿 电子电离系数和附着系数 电离系数α、附着系数η、有效电离系数 均匀电场中六氟化硫的击穿 对于SF6,仅当E/p大于临界值(E/p)c＝885kv/cm·MPa时放电才有可能发展;而对于空气,其(E/p)c=244kv/cm·Mpa，由此可知，均匀电场中SF6的电气强度约为空气的3倍。 均匀电场中六氟化硫的击穿 自持放电条件 当崩头电子数达到 放电由非自持转入自持阶段。 均匀电场中六氟化硫的击穿 均匀电场中六氟化硫的击穿 对于不同的间隙，当压力不太大时，相同pd值时的击穿电压值落在同一条曲线上；随着压力的增大，击穿电压值偏离上述曲线；间隙距离d越小，开始出现偏离的pd值也越小。这种现象可能是电极表面粗糙和气体中有杂质等原因造成的。 均匀电场中六氟化硫的击穿 电极表面状态的影响 均匀电场中六氟化硫的击穿 击穿条件 均匀电场中六氟化硫的击穿 当SF6气体的压力较低时，( 值较大。这时电子崩将延伸至整个间隙(Xc＝d-h)，且间隙内各处场强与气压之比应较高，积分式的值达到 而发生击穿。因此p较低时，Eb /P大于（E/P）crit 均匀电场中六氟化硫的击穿 当压力p较高时， 值较小，电子崩长度较小的情况下，即发生击穿，Eb /P小于（E/P）crit 均匀电场中六氟化硫的击穿 对于SF6 均匀电场中六氟化硫的击穿 以（ph）crit表示（K/β)/(E/P)crit，当ph(ph)crit时，突出物即会产生影响而使Eb/p小于（E/P）crit，即在高压下，即使是一个很微小的突出物，也会对击穿电压产生很大影响，使Ub值降低。 均匀电场中六氟化硫的击穿 导电微粒的影响 SF6气体对于灰尘和导电微粒十分敏感。 1.形成突出物，造成电场局部强化。 2.交流场中，导电微粒在某一极充电，然后在极性相反的电极上产生微弱放电，并导致整个间隙击穿；冲击电压作用下，微粒来不及移动，影响很小。 均匀电场中六氟化硫的击穿 随着球形微粒直径的增加，击穿电压逐步下降。 均匀电场中六氟化硫的击穿 面积效应 随着电极面积增大，击穿电压下降的现象称为面积效应。 电极表面越光滑，气压越高，面积效应也越大。冲击电压下，因电压作用时间较短，影响击穿电压的偶然因素出现的概率减少，所以面积效应也较工频电压下弱。 均匀电场中六氟化硫的击穿 小结1： 理想环境下Ub与pd成线性关系。 随着P的增大，巴申曲线会出现偏移。 电极表面状态的影响 导电微粒的影响 面积效应 稍不均匀电场中六氟化硫的击穿 电子崩转变为流注的条件即为间隙击穿的条件。 实际设备中，电场不可能完全均匀，而极不均匀电场又使SF6的优越性不能充分发挥。因此设计SF6气体绝缘的电气设备时，应尽量采用稍不均匀电场结构。同轴圆柱或同心圆球（半球） 稍不均匀电场中六氟化硫的击穿 条件：同轴圆柱电极，r=1cm,R/r=e,p=0.1MPa,施加电压U，电极表面光滑 稍不均匀电场中六氟化硫的击穿 Ex=U/(xIn(R/r))=U/x =27.7(Ex-85.5)=27.7(U/x)-2451 当 ≥0，即在x≦U/Ecrit=x0区域内，电子崩可不断发展，若电子崩能转化成流注，则间隙击穿，此时存在临界电子崩长度Xc Xc=Xo-r 稍不均匀电场中六氟化硫的击穿 通过试算法可求得击穿电压Ub=99.5kV 稍不均匀电场中六氟化硫的击穿 随着间隙距离的增加，击穿电压的增加出现饱和现象。这是因为随着间隙距离的增加，电场的不均匀程度增加，击穿电压的增加