掺铁硅基稀磁半导体薄膜的制备及其电学和磁学性质研究.docVIP

掺铁硅基稀磁半导体薄膜的制备及其电学性质研究 苏卫锋，王佳乐，朱海，樊永良，蒋最敏 应用表面物理国家重点实验室，复旦大学，上海 200433 Email： zmjiang@fudan.edu.cn Ⅳ族稀磁半导体由于与传统半导体材料的兼容性，引起了人们的广泛关注。据报导，实验上已有MnxGe1-x、MnxSi1-x、、FexGe1-x、等稀磁半导体材料的制备及物理性质研究，但关于铁掺杂的硅基稀磁半导体却没有相关的报导。我们通过用分子束外延（MBE）的方法制备了不同Fe含量的FexSi1-x、薄膜，并对其生长条件、结构、及其电学和磁学性质做了研究（其制备方法和结构的研究成果已发表在J. Cryst. Growth）。本文主要研究Fe0.04Si0.96薄膜的电学性质。 Fe0.04Si0.96薄膜是用MBE的方法在P型Si（001）衬底上制备的，其厚度为40nm，生长温度是250℃。横截面试样高分辨率的透射电镜（图1）观察表明Fe0.04Si0.96薄膜的生长为外延生长，在薄膜中也没有观察到颗粒或団簇结构。二次离子质谱深度分布曲线（图2）则说明了Fe在薄膜中沿生长方向分布均匀，并且Fe原子没有明显的表面偏析行为。 图3是薄膜的磁阻（MR=（R（3T）-R（0T））/R（0T））随温度变化的曲线，从图中可以看出Fe0.04Si0.96薄膜在低温下有巨磁阻效应，并且在30K左右磁阻达