信息功能陶瓷材料及应用12节.pptVIP

铁电体最显著的特征，或者说宏观的表现就具有电滞回线。此外，铁电体一般还会发生电致伸缩现象。 纯的BaTiO3介电系数很大，居里温度120℃，介电系数的温度稳定性差。同时介电系数的峰值在居里温度附近，未处在应用的温度范围内，为改进介电陶瓷的性能，需要进行置换改性和掺杂改性。 置换改性是指用电价相同，离子半径和极化性能相近的离子能大量溶解到BaTiO3中与相应离子进行置换，形成BaTiO3基固溶体，使陶瓷性能得到改善的一种方法。 掺杂改性是指那些离子半径相差较大或电价不同等原因，在BaTiO3中固溶极限很小，却能使BaTiO3基陶瓷性能发生显著变化的方法。 （2）半导体电介质陶瓷 铁电陶瓷主要用于制作小型大容量电容器、高压电容器、低变化率电容器等等。 是适应电容器微小型化的需要而发展起来的陶瓷介质材料。主要用于制造Ⅲ类瓷介电容器。以BaTiO3陶瓷的半导体化为例，通过加入不同的杂质、改变化学计量偏离率、改变烧成及冷却条件，可显著的降低其电阻率。 根据半导体陶瓷介质的特性，可分为阻挡层型、还原再氧化层型和晶界层型三种结构形式。 阻挡层陶瓷电容器是利用金属电极与半导体陶瓷的表面形成很薄的接触势垒层作为介质层。还原再氧化层型则是利用在半导体陶瓷的表面上通过适当的氧化形成0.01～100μm的绝缘层作为介质层。这两种都属于表面层型。通过有效的减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器的有效途径。 晶界层陶瓷电容器是在晶粒生长比较充分的半导体陶瓷表面涂覆CuO、MnO2、Bi2O3等金属氧化物，在适当温度和氧化条件下进行热处理，涂覆的氧化物沿开口气孔和晶界迅速扩散渗透到陶瓷内部，在晶界上形成薄薄的绝缘层。每两个小晶粒与很薄的晶界层介质就构成一个电容器。整个电容器相当于很多小电容器互相并联和串联，使整个陶瓷宏观显示的介电常数非常高。 （3）高频介质陶瓷 主要用于制造Ⅰ类瓷介电容器，其特点是介电常数一般为12～900，介质损耗小，介电系数温度系数的范围宽。高频陶瓷电容器常用于振荡回路中，利用该电容器的电容温度系数来补偿电路中电感等元件的温度系数，使电路的工作状态稳定。其介电常数通常与温度呈线性关系。代表材料有金红石陶瓷、钛酸钙陶瓷、钛酸镁陶瓷等等。 （4）微波介质陶瓷 具有介电常数适中、微波损耗低、频率温度系数小等性能，是制作微波元器件的关键材料。如介质谐振器、介质微波滤波器和谐振器、介质波导、天线、微波集成电路基片等等。 微波介质陶瓷包括Ba0-Ln2O3-TiO2(BLT)、钙钛矿型、（Zr，Sn）TiO4系、Ba0-TiO2系等多种材料体系，各自有其优缺点和适用领域，并且都能通过离子取代或掺杂在一定范围内改变材料的微波介电性能。 （5）独石结构用介质陶瓷 独石陶瓷电容器是适应电子技术发展对电子元器件提出的小型化、薄片化、高性能和高可靠性等要求而发展起来的元器件。其工艺特点是将涂有金属电极浆料的陶瓷介质坯体，以电极多层交替叠合使陶瓷材料与电极同时烧成一个整体，形成由多个陶瓷电容器并联而成的电容器。 独石型陶瓷电容器可分为三种类型：高温烧结型、烧结温度在1300℃以上，电极材料必须采用Pt，Pd等耐高温的贵金属；中温烧结型，烧结温度在1000～1250℃，主要为降低独石电容器成本，电极采用不同比例的Ag/Pd合金电极；低温烧结型，烧结温度在900℃附近，采用全银或钯含量低的Ag/Pd合金电极，成本大幅下降。 2、半导体陶瓷及应用 （1）热敏电阻陶瓷及应用 半导体陶瓷材料用于制作各种传感元件，当温度、压力、湿度、气氛、电场、光及射线等外界条件发生变化时，引起该材料某中物理性能发生相应的变化（典型表现为电阻率变化） ，可从这些敏感元件的这种变化而迅速准确的获得某种相应的有用信息。 其电阻率会随温度的变化发生显著的变化，其中电阻率随温度升高而增加的称为正温度系数（PTC）热敏电阻材料，反之称为（NTC）负温度系数热敏电阻材料。在各种温度探测、温度补偿、温度传感等领域应用十分广泛。 （2）压敏陶瓷及应用 材料的电阻率对电压的变化很敏感，最常用的为ZnO半导体陶瓷压敏电阻。可用于过电压保护、稳压、吸收异常电压和噪声等，在大规模集成电路、计算机、电子仪器等中都具有十分广泛的应用。 （3）气敏陶瓷及应用 气敏半导体陶瓷的电阻率随某一种或几种气体的浓度发生规则性的变化，其检测灵敏度通常可达到百万分之一的量级或更高，在气体检测、传感等领域有广泛的应用。 * * 信息材料－ 是为实现信息探测、传输、存储、显示和处理等功能而使用的材料。 按材料功能分类－ 1、信息探测材料： 对电、磁、光、声、热辐射、压力变化或化学物质敏感