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光栅 狭缝 反射镜 2.2 单道扫描光谱仪检测系统 可多元素同时分析 读谱速度慢 3、CCD检测器 (Charge-Coupled Devices, 中文译名是电荷耦合器件 ) CCD是一种新型固体成像器件,它是在大规模硅集成电路工艺基础上研制而成的模拟集成电路芯片,借助必要的光学和电路系统,它可以将景物图象通过输入面空域上逐点的光电信号转换、储存和传输,在其输出端产生一视频信号,并经末端显示器同步显示出人眼可见的图象。 在原子发射光谱中采用CCD的主要优点是: 速度快,35S 检测70种元素; 动态响应范围和灵敏度达到甚至超过PMT 性能稳定,耐过度曝光,比PMT结实耐用 (1) CCD工作原理: CCD由许多光敏像元组成,每一个像元就是一个MOS电容器或光敏二极管。 当一束光子照射于MOS电容器(或光敏二极管)上时,衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃迁进入导带,产生电子-孔穴对。 P 金属层 SiO2 衬底 hv hv Eg 价带 导带 导带-价带间能量差Eg称为半导体的禁带宽度。 在一定外加电压EG下,Si-Si02界面上多数载流子-孔穴被排斥到底层,在界面处感生负电荷,中间则形成耗尽层,而在半导体表面形成电子势阱。势阱形成后,随后到来的信号电子就被存贮在势阱中。由于势阱的深浅可由电压大小控制,因此,如果按一定规则将电压加到CCD各电极上,使存贮在任一势阱中的电荷运动的前方总是有一个较深的势阱处于等待状态,存贮的电荷就沿势阱从浅到深做定向运动,最后经输出二极管将信号输出。由于各势阱中存贮的电荷依次流出,因此根据输出的先后顺序就可以判别出电荷是从哪个势阱来的,并根据输出电荷量可知该像元的受光强弱。 N+ P + + + + + - - - - - + - E 不同衬底材料Eg不同,器件具有不同的光谱特性, Eg = 1.24 / ?c Si Eg = 1.12 eV ?c = 1.1 um Ge 1.8 1.8 InAs 0.39 3.2 P P P P (2) CCD的性能参数 像元灵敏度或量子效率:收集到的电荷数和照射的光子数的比值; 光谱响应范围 分辨率: 线阵CCD:256x1; 1024x1; 2048x1 面阵CCD:100x108;320x320;512x320;604x588; 1024x1024 噪音 ? S 第四节 原子光谱分析方法 一、定性分析 目前常用标准试样光谱比较法和铁谱比较法 铁谱比较法——将试样与铁并列摄谱于同一光谱感光板上,然后将试样光谱与铁光谱标准谱图对照,以铁谱线为波长标尺,逐一检查欲检查元素的灵敏线,若试样光谱中的元素谱线与标准谱图中标明的某一元素谱线出现的波长位置相同,表明试样中存在该元素。铁谱比较法对同时进行多元素定性鉴定十分方便。 Ag Pb 二、半定量分析 可采用谱线黑度比较法和光谱呈现法 谱线黑度比较法: 比较某元素一系列标准的黑度,并与 样品对照 光谱呈现法:同一元素的不同谱线黑度不同,浓度越低, 留下的谱线越少 分析线——用于确定某一元素的特征谱线 灵敏线——元素特征谱线中强度较大的谱线 最后线——随浓度降低,谱线数目减小,直到最后消失的谱线 三、定量分析 常采用内标法,即选一内标元素,其含量已知 设被测元素和内标元素含量分别为C和C0,分析线和内标线强度分别为I和I0,b和b0分别为分析线和内标线的自吸收系数,根据罗马金-塞伯公式,对分析线和内标线分别有 I = A1Cb I0 = A0C0b0 则 lgR = blgC + lgA 内标法光谱定量分析的基本关系式 式中 内标法主要作用是抵消光源不稳定性的影响 内标元素与内标线的选择原则是: (1)内标元素含量必须适量和固定; (2)内标元素与被测元素化合物在光源作用下应具有相似的蒸发性质; (3)分析线与内标线没有自吸或自吸很小,且不受其它谱线的干扰; (4)用原子线组成分析线对时,要求两线的激发电位相近;若选用离子线组成分析线对,则不仅要求两线的激发电位相近,还要求内标元素与分析元素的电离电位也相近。用一条原子线与一条离子线组成分析线对是不合适的; (5)若用照相法测量谱线强度,要求组成分析线对的两条谱线的波长尽量靠近。 四、 光谱定量分析方法 1、校正曲线法 2、标准加入法 在标准样品与未知样品基体匹配有困难时,采用标准加入法进行定量分析,可以得到比校正曲线法更好的分析结果。 标准加入法可用来检查基体纯度、估计
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