功率MOSFET功率MOSFET的特性.pdf

MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD 功率MOS FET 功率MOS FET 的特性 1. 绝对最大额定值及电特性 1.1 绝对最大额定值 将绝对最大额定值项目的耐压VDSS 、漏极电流ID 和沟道损耗容限Pch ，分别规定为独立的项目。此外，还 表示上述项目在任何使用条件下都不能超过额定值。绝对最大额定值的项目与其他特性之间大多存在着密切的 联系，因此必须注意不要使各个项目同时达到最大额定值。 (1) 漏极/ 源极耐压　VDSS 该项表示在栅极/ 源极之间短路时可外加到漏极/ 源极之间的最大电压。VDSS 因温度的变化而产生波 动。当如图1所示的结温Tj 上升到100°C 时，V(BR)DSS 增加约10%。必须注意当Tj 下降时，V(BR)DSS 也 会以相同的比率下降。 1.20 1.15 1.10 1.05 1.00 S S 0.95 D ) R B I =10mA ( 0.90 D V VGS=0 0.85 0.80 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 T (°C) j 图1 相对于结温的V(BR)DSS 变化率 (2) 栅极/ 源极耐压　VGSS 当漏极/ 源极之间短路时，对在栅极/ 源极之间插入保护二极管的器件进行测量，而对于没有保护二极 管的器件无法进行测量。 (3) 漏极电流ID 、漏极峰值电流　ID(peak) 或者ID(pulse) 在沟道损耗容限内，可在漏极连续通入的直流电流最大值用ID 表示，在平均电流不超过ID 的范围内， 可通入的交流漏极电流的峰值用ID(peak) 或者ID(pulse) 表示。 一般情况下工作时的ID 空许值，可根据以下公式进行计算： Tch max. − Tc I = (A) Dmax. ···············································① ch c R θ − ⋅ max. DS(on) 同样，ID(peak) 的容许值也可根据以下公式进行计算