二极管峰值包络检波器的设计.docVIP

兰州理工大学课程实验报告 ******************* 实践教学 ******************* 计算机与通信学院 2012年秋季学期 《通信系统基础实验》设计报告 题 目： 二极管峰值包络检波器的设计 目录 TOC \o 1-2 \h \z \u 一、实验目的 1 1.1 、进一步了解调幅波的原理，掌握调幅波的调制方法 1 1.2 、了解调幅波解调的原理，掌握调幅波的解调方法 1 1.3 、了解二极管包络检波的主要指标，检波效率及波形失真 1 1.4 、掌握用集成电路实现同步检波的方法 1 二、设计指标 1 三、整体电路图说明 1 四、详细单元电路设计 2 4.1、峰值包络检波 2 4.2、失真电路 3 4.3、改进电路 5 4.4、实验电路 5 五、整体电路设计与仿真结果 6 5.1、混频器仿真电路仿真图 6 5.2、包络检波仿真 7 六、设计总结 7 七、参考文献 8 兰州理工大学课程设计报告 PAGE 2 一、实验目的 、进一步了解调幅波的原理，掌握调幅波的调制方法 、了解调幅波解调的原理，掌握调幅波的解调方法 、了解二极管包络检波的主要指标，检波效率及波形失真 、掌握用集成电路实现同步检波的方法 二、设计指标 2.1、输入AM信号 2.2、输出信号 三、整体电路图说明 在设计电路时要考虑选择性和通频带的要求,保证输出的高频波纹小,减小频率失真,避免惰性失真和负峰切割失真。 在选择二极管时要选择正向电阻小、反向电阻大、结电容小最高工作频率高的二极管。一般多用点触型锗二极管2AP系列。其正向电阻小,正向电流上升快,在信号较小时就可以进入大信号线形检波区。电阻R的选择,主要考虑输入电阻及失真的问题,同时考虑对Kd的影响.容C不能太大,以防止惰性失真:C太小又会使高频波纹大,应使RCTc。 图1：整体电路图 整体电路由混频器和包络检波器组成，上半部分是混频器，下半部分是包络检波器。 四、详细单元电路设计 4.1、峰值包络检波 实验波形如图： 图2：峰值包络检波波型图 RC电路有两个作用：一是作为检波器的负载；在两端产生解调输出的原调制信号电压；二是滤除检波电流中的高频分量。为此，RC网络必须满足且。式中，为载波角频率，Ω为调制角频率。 vs正半周的部分时间(φ90o) 二极管导通，对C充电，τ充=RDC。因为?RD很小，所以τ充很小，vo≈vs 2.vs的其余时间(φ90o) 二极管截止，C经R放电，τ放=RC。因为?R?很大，所以τ放很大，C上电压下降不多，仍有：vo≈vs （1）过程循环往复，C上获得与包络(调制信号)相一致的电压波形，有很小的起伏。故称包络检波。 检波过程实质上是信号源通过二级管向负载电容C充电和负载电容C对负载电阻R放电的过程，充电时间常数为RdC，Rd为二极管正向导通电阻。 放电时间常数为RC，通常RRd,因此对C而言充电快、放电慢。经过若干个周期后，检波器的输出电压V0在充放电过程中逐步建立起来，该电压对二极管VD形成一个大的负电压，从而使二极管在输入电压的峰值附近才导通，导通时间很短，电流导通很小。当C的充放电达到动态平衡后，V0按高频周期作锯齿状波动，其平均值是稳定的，且变化规律与输入调幅信号的包络变化规律相同，从而实现了AM信号的解调。 （2）指标分析 因vs幅度较大，用折线法分析。 1、vs为等幅波，包络检波器波形: 图3:包络检波器波形图 2、vs为AM信号 vs=Vs(1+mcosΩt)cosωot 因为Ωωo，所以包络变化缓慢，在ωo的几个周期内： Vs≈Vs(1+mcosΩt)=常数(恒定值) 代入： vo=Vscosφ≈Vs(1+mcosΩt)cosφ =Vscosφ+mcosφcosΩt 式中： Vscosφ为与vo幅度成正比的AGC电压 vΩ=mcosφcosΩt=VΩcosΩt?(原调制信号) 4.2、失真电路 通过实验发现 ，峰值包络检波包括： (a)惰性失真； (b)负峰切割失真。 失真分析： (a)惰性失真：惰性失真是由于τ放跟不上vs的变化引起的失真 失真波形如下页图示： 图4：惰性失真波形图 由图可见，不产生惰性失真的条件： vs包络在A点的下降速率≤C的放电速率 即： (b)负峰切割失真： 负峰切割失真是由交流负载变化引起的失真，波形如下图示： 图5：负峰切割失真示意图 因为Cc很大，在一个周期内，Vc(不变)≈Vs(Kd≈1时) 所以有： VR=VAB=Vc[R/(R+RL)] 由图：临界不失真条件： Vsmin=Vc-mVs≈Vs-mVs=Vs(1-m) m较大时，若VRVsmin,则产生失真。 则要求： 4.3、