背面 钝化的晶体硅太阳电池关键理论和.pptVIP

- * - 太阳能系统研究所 Institute for Solar Energy Systems * 背面 钝化的晶体硅太阳电池关键理论和工艺 陈达明、梁宗存、沈辉 中山大学太阳能系统研究所 主要内容 1. 引言 2. 太阳电池表面钝化技术 3. 介质膜/金属背面光学反射性能 4. 去背结技术 5. 低成本介质膜开孔技术 6. 背面局域接触电极的制备 7. 电池结构优化方法 8. 背面钝化的晶体硅太阳电池研发进展 1. 引言 太阳电池前表面技术 选择性发射极、新型前栅线金属化、新型表面绒面。 Eff18% 太阳电池背表面技术 背面钝化、背面光学反射、局域电极接触 Eff？% 2 太阳电池表面钝化技术 2.1 热氧化 表面复合速率 S 10cm/s 耗时，耗能，环境要求严格 2.1 PECVD SiNx:H 钝化 温度低 300-450 ℃ 速度快、大规模量产 在p型Fz硅片上获得10cm/s的表面复合速率。 缺点： 固有 的正束缚电荷(1×1011-5×1012cm-2) 限制了其在p型基底上的应用。 一般采用薄 SiO2(10nm)/SiNx:H结构来钝化p型硅表面 J.Schmidt, M.Kerr. solar energy material solar cells,65(2001)585-591. 2.3 ALD(atom layer deposition) Al2O3钝化 负的束缚电荷(1012-1013cm-2),特别适合于p型硅片表面的钝化； G.Agostinelli等人在2?cm的Cz硅片上采用ALD方式制备Al2O3，表面复合速率低于10cm/s 芬兰Beneq 、 英国Oxford Instruments G.Agostinelli, A.Delabie, P.Vitanov, et al. Solar energy materials solar cells 90 (2006) 3438-3443. 2.4 a-SiCx 薄膜钝化 热稳定能良好 PECVD a-SiCx 钝化1?cm p型 Fz硅获得了5cm/s的复合速率 S. W. Glunz, S. Janz, M. Hofmann, T. Roth, and G. Willeke, 4th WCPEC, 2006, pp. 1016-1019. 2.5 叠层薄膜钝化 SiO/SiN/SiO (ONO)叠层钝化膜 表面复合速率S30cm/s 850℃快速烧结3s后表面复和速率60cm/s M. Hofmann, S.J.,Christian Schmidt, et al. Solar energy materials solar cells, 93(2009)1074-1078. 3 介质膜/金属的背面光学反射性能 电池类型 Rback(%) Jgen(mA/cm2) PERL 94.5 42.16 PERC 95.0 42.18 LFC 95.5 42.23 背面蒸发铝 83.0 41.61 硼背场+蒸发铝 71.0 41.14 丝网印刷铝 65.0 41.08 M.Hermle, E.Schneiderl?chner, G.Grupp, et al.20th European photovoltaic solar energy conference and exhibition, 6-10. Jan 2005, Barcelona. 3．去背结技术 去背结方法 平均背面粗糙度Ra(μm) 内背反射率R(%) 表面复合速率Seff(cm/s) 开路电压Voc(V) 效率eff(%) 短时间KOH腐蚀 0.70 92 386.8 600 15.3 长时间KOH腐蚀 0.42 93 254.8 601 15.3 HF/HNO3+短时间KOH腐蚀 0.64 93 427.8 HF/HNO3 1.28 91 258.5 605 15.5 SF6等离子体 1.43 89 199.5 610 16.2 CF4等离子体 1.61 89 3758.4. 593 16.4 机械抛光 0.17 93 223.9 J.Rentsch, L.Gautero, A.Lemke, et al. 23th European photovoltaic solar energy conference and exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain. 4 低成本介质膜开孔技术 4.1 激光开孔技术 SiNx layer SiOx layer λ = 1064 nm b)λ = 532 nm c) λ = 355 nm d) f