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IC版图设计职业入门 I. IC版图设计基础 II. 数字模块版图设计入门 III. 模拟模块版图设计入门 更多学习内容欢迎登陆网站： 关注微信公众号：后台小助手领取学习资料 课程安排 本节内容 • 反相器电路与版图  二输入与非门电路与版图 第一节 Part 1 01 反相器图层及其工艺介绍 01 图层 介绍 ⚫ INV主要涉及到的图层（layer） NWELL、OD、POLY、NIMP 、PIMP 、CO、Metal1 、 PMET 以及一些辅助层 01 NWELL ⚫ NWELL主要用于在P型硅衬底上刻蚀出N阱区域，N阱 最主要是用来制造PMOS。(NMOS直接制作在p衬底上) N N N N N NW sio2 sio2 NWELL P substrate 01 OD OD(有源区)主要用于制造N型器件和P型器件，也可以用于制 作衬底或阱的接触。从某种意义上说有源区掩膜板主要是通 过控制离子注入与氧化时间，实现在有源区上形成薄氧层和 有源区外形成厚氧层。 01 POLY ⚫ Poly(多晶硅)主要用于制作MOS管栅极(Gate) 以及 连线和电阻。 01 PIMP ⚫ PIMP主要用于制作PMOS管的源、漏以及NMOS 管的衬底欧姆接触。 01 NIMP ⚫ NIMP(一般是PIMP的反版)主要用于制作NMOS管 的源、漏以及PMOS管的衬底欧姆接触。 01 CO ⚫ 接触孔(contact)的主要作用是在有源区和Poly制造 金属接触，这层金属接触可以使硅和的金属实现 紧密连接。 01 METAL1 ⚫ 金属层实现金属互连。 01 工艺回顾 sio2 sio2 P+ poly sio2 N+ P+ P+ NWELL P substrate 01 工艺如何指导版图 下图中衬底电位PMOS管为何总是接VDD ， nmos管总是接VSS ？ • INV 电路与版图  NAND2 电路与版图 01 工艺如何指导版图？ sio2 sio2 P+ poly sio2 N+ P+ P+ NWELL