不同晶粒尺寸材料的霍尔佩奇关系.docxVIP

不同晶粒尺寸材料中的H-P关系 细化晶粒一直是改善多晶体材料强度的一种有效手段。根据位错理论,晶界是位错运动的障碍,在外力作用下,为了在相邻晶粒产生切变变形,晶界处 必须产生足够大的应力集中,细化晶粒可以产生更多的晶界,如果晶界结构未发生变化,则需施加更大的外力才能产生位错塞积,从而使材料强化。Hall- Petch关系就是在位错塞积模型基础上导出的。 H-P关系的历史 20世纪50年代初，人们开始研究晶粒尺寸与材料强度的关系，1951年当时还在谢菲尔德大学读书的E.O.Hall在64册装订的《物理学进程表》上发表了三篇文章。在第三篇文章中，他指出了滑动带的长度或裂纹尺寸与晶粒尺寸成正比，即，式子中的第一项代表了材料的强度，k是常数。由于技术条件的限制，Hall只能推出成正比的关系，但是x的取值没有具体给出。当时Hall选取的研究对象是锌但是他发现这个关系应用于低碳钢同样成立。英国利兹大学的N.J.Petch根据自己在1946-1949年的实验研究和Hall的理论基础发表了一篇论文，这篇论文着重讲述了有关脆性断裂方面的知识，通过测量在低温条件下不同晶粒尺寸的解理强度，Petch把Hall提出的数学关系进行了精确地完善，这个重要的数学关系就以他们的名字命名为霍尔佩奇关系。即　 σy代表了材料的屈服极限，是材料发生0.2%变形时的屈服应力σ0.2通常可以用显微硬度Hv来表示 σ0表示移动单个位错时产生的晶格摩擦阻力 Ky一个常数与材料的种类性质以及晶粒尺寸有关 d平均晶粒直径 Hall-Petch关系图 由于Hall和Petch所处的年代技术的落后他们能研究的晶粒尺寸还是很大的，所以早期的H-P关系是不完善的，只有图中前半部分。后半部分是随着科技的进步，逐渐完善的。近几十年来,材料的细晶强化研究大量开展。在一般晶粒尺寸范围内,材料的强度随晶粒尺寸的变化是符 合Hall-Petch关系的,但在纳米晶体材料中出现了偏离甚至反Hall-Petch关系的现象,因此Hall-Petch关系的使用 具有一定的局限性。 一般晶粒尺寸材料中的H-P关系 关于晶粒尺寸的作用，可用位错的观点来说明，在晶体缺陷中已知，位错在晶体中是三位分布的。位错网在滑移面上的线段可以成为位错源。在应力的作用下，位错源可不断地放出位错，使晶体产生滑移。位错在运动过程中，首先必须克服位错网的阻碍，当位错移动到晶界时，又必须克服晶界的障碍，这样才能使变形由一个晶粒转到另一个晶粒上去，使物体产生屈服。由此可知，金属的屈服强度应该取决于使位错源动作所需要的力，位错网给予移动位错的阻力和晶粒之间界的阻力等。由此可见相同体积的金属中，晶粒越细小，晶界就越多，障碍也就越多。这久需要加大外力才能使晶体滑移。所以晶粒越小，材料的屈服极限也就越大。 如图所示 这个图示粗略展示了位错堆积的概念和它对于材料强度的影响。大晶粒的材料可错堆以产生更多位积，以生成把位错从一个晶粒移到另一个晶粒的驱动力。如图在大晶粒中移动位错比在小晶粒中更省力，这使得小晶粒材料展现出更高屈强度晶粒中得位错塞积图 一般晶粒尺寸材料中得H-P关系图（d=100um） 超细晶材料中的H-P关系 金属材料常温条件下细晶强化已成为公认的事实，H-P关系一直是毋庸置疑的。但是随着科技和技术的不断更新和进步，材料晶粒的细化已经进入微米亚微米至纳米级别，人们通过不断地实验以及大量的实例发现了偏离H-P的现象。随着晶粒的不断细化，这种偏离程度也不断增大，这种偏离现象主要体现在随着晶粒的不断细化1σ0增大2k值下降这是因为,位错运动平均自由程减小,晶界、相界对材料性能的影响比粗晶条件下更为显着,当夹杂物尺寸与晶粒不相上下时,将使超细晶的强化作用下降。超细晶条件下,间隙原子的固溶强化和第二相的沉淀强化也可能发生一些变化。 从图中我们可以发现随着晶粒的细化H-P关系图偏离的程度也就越大这是因为在晶界附近原子状态比较特别,被确认为有晶界相,晶界附近存在弹性变形层,与晶粒内组织相比,晶界相的动态活度较高。在超细晶状态下,晶粒细小,导致晶界面积的大幅度上升,同时也增加了晶界附近组织在整个组织中的分数。依据非平衡晶界理论],非平衡态非固有晶界位错(EGBD)的增加,使其晶界可动位错密度加大。可动位错密度的上升有利于位错滑移即材料塑性变形,在一定程度上将有 利于材料的屈服,由此将使超细晶状态下H-P关系的斜率下降。在20世纪80年代之前，这种反常现象很少被提起，最近几年由于晶粒的大幅度细化，这种现象越来越受到人们的重视。 纳米材料中的H-P关系 霍尔—佩奇(Hall-Petch)公式指出了多晶体材料的强度与其晶粒尺寸之间的关系，晶粒越细小则强度越高。但通常的材料制备方法至多只能获得细小到微米级的晶粒，霍尔—佩奇公式的验证也只是到此范围。如果晶粒更为