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MEMS圆片级真空封装金硅键合工艺研究 第11卷,第1期 Vo1. 11.NO. 1 电子与封装 ELECTR0NICSamp;PACKAGING 总第93期 2011年1月 , 一I～,t～,一一,f■,～ ‘封}装,{装与jll试 MEMS圆片级真空封装金硅键合工艺研究水 张卓一,汪学方一,王宇哲一,刘川～,刘胜, (1.华中科技大学机械科学与工程学院,武汉430074;2.华中科技大学能源与动力工程学院,武汉430074;3.华中科 技大学光电国家实验室,武汉430074) 摘要:提出一种适用于微机电系统(MEMS)圆片级真空封装的键合结构,通过比较分析各种 键合工艺的优缺点后,选择符合本试验要求的金硅键合工艺.根据所提出键合结构和金硅键合的 特点设计键合工艺流程,在多次试验后优化工艺条件.在此工艺条件下,选用三组不同结构参数 完成键合试验.之后对比不同的结构参数分别测试其键合质量(包括键合腔体泄漏率和键合强度 的检测).完成测试后对不同结构参数导致键合质量的差异做出定性分析,同时得到适用于MEMS 圆片级真空封装的金硅键合结构和键合工艺.最后对试验做出总结和评价,并对试验中的不足之 处提出后续改进建议. 关键词:MEMS;真空封装;金硅键合;圆片级 中图分类号:TN305.94文献标识码:A文章编号:1681—1070(2011)01—0001—04 StudyonAu—SiBondingofWaferLevelMEMSVacuumPackaging ZHANGZhuo,WANGXue—fang,WANGYu—zhe,LIUChuan,LILTSheng (HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan430074,China) Abstract:AnewkindbondingstructurethatapplicabletoMEMS(MicroElectroMechanicalSystems)wafer levelvacuumpackaginghadbeenreported,Au—Sibondingwhichmeetstherequirementsisselectedbyanalysing themeritsanddemeritsofallkindsofbondingprocesses.Thebondingprocessconditionaredesignedbythe structurethatputforwardandcharacteristicsofAu—Sibonding,andoptimizedbyplentyoftests.Inthisbonding processcondition,differentbondingexperimentsarecompletedunder3differentstructureparameters.The differentbondingqualities(includingleakageratetestandbondingstrengthtest)ofdifferentstructureparam? etersaretested.Afterthis,qualitativeanalysisthatdifferentbondingqualitiescausedbydifferentstructure parametersisgiven.AbondingstructureandprocesswhichsuitforAu-Sibondingarereceived.Intheend,the summaryandtheevaluationaregiven,andthedrawbacksandrelatedproposalsofthisexperimentareput forward. Keywords:MEMS;vacuumpackaging;Au—Sibonding;waferlevel 1引言 微机电系统(MicroElectroMechanicalSystem) 是将微机械元件,微型传感器,微型执行器,信号 处理与控制电路等集成于一体的微系统,是随着半 收稿日期:2010—10—04 基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)课题:长寿命MEMS圆片级真空封装技术的研究(编号: 2008AA04Z30711) 第11卷第1期电子与封装 导体集成电路,微细加工技术和超精密机械加工技 术的发展而发展起来的….许多MEMS器件,如陀 螺仪,加速度传感器和谐振器等都需要采用真空封 装以降低机械运动部件运动时气体的阻尼,极大地 提高器件的品