功率电路及系统讲义.ppt

二、功率模块 功率模块有许多，有达林顿电路模块、各种MOS管或BiFET组件等。图27(a)给出一种高速大功率CMOS器件(TC4420/29系列)，其脉冲峰值电流高达6A，开关速度高达25ns，使用十分方便，而且能带动大电容负载(CL≥1000pF)。图27(b)是由两块TC4420组成的桥式电路，驱动电机或陀螺正、反向转动。 图27 高速大功率CMOS器件 (a)内部电路；(b)由TC4420组成的桥式功率电路 目前，还出现了许多高速大功率运算放大器(PowerOperationalAmplifiers)，如OPA2544、3583等。OPA2544的最大输出电流为2A，电源电压范围±10V~±35V，压摆率为8V/μs，其封装和引脚图如图28所示。而OPA3583的电源电压高达±70V~±150V，输出电流为75mA，压摆率达30V/μs。OPA2544和OPA3583的输入级为场效应管，输出级为互补跟随器。 图28 功率运算放大器OPA2544的外形图及 管脚图 (a)外形图；(b)管脚图 3—4 功率管的保护 为保证功率管的正常运行，要附加一些保护电路，包括安全区保护、过流保护、过热保护等等。例如，在VMOS的栅极加限流、限压电阻和反接二极管，在感性负载上并联电容和二极管，以限制过压或过流。又如，在功率管的c、e间并联稳压二极管，以吸收瞬时过压等等。 4 高精度基准电压源 在集成电路或电子设备中，常需要基准电压源(UREF)。该类基准电压源要求精度高，温度稳定性好(±0.2×10-6~±20×10-6左右)，噪声电压低，长期稳定度好等，但其输出电流并不大，一般为几毫安~十几毫安。实现此类电压基准功能的电路和器件有两种，简要介绍如下。 4—1能隙基准电压源 一、能隙基准电压源的工作原理 如图29所示，UBE为负温度系数，UT发生器乘以系数K为负温度系数，二者经相加器相加后得到基准电压UREF： 又知，结电压UＢＥ随温度上升而下降，即有 (40) (41a) (41b) (42) 图29 能隙基准电压源的工作原理 式中，Ug0为半导体材料在绝对零度下(0K)的带隙(Band—Gap)电压，即禁带宽度。硅材料的Ug0为1.205V，锗材料的Ug0为0.72V。该值是一个固定不变的电压值。如式(42)所示，若调整K值使第二项与第三项相抵消，则 (43) 二、能隙基准电压源电路 图30给出一个能隙基准电压源的电路例子。设运算放大器是理想的，且RA=RB 因此有 ? (44) (45) 图30 能隙基准电压源电路 运放输出电压即基准电压UREF为 (46) 式中， 调节R1和R2的值，使KUT=CT，那么 (47) 若R4固定，则改变R3,即可得到不同的基准电压值。美国AD公司的AD580、AD581、AD584、AD680系列电压基准的原理电路与图30相同。例如，AD581的基准电压UREF=10V±0.005V，温度系数ST为5×10-6/℃，长期稳定度为25×10-6/1000h，输出噪声电压的峰峰值小于40μV。 4—2 以埋层齐纳管为参考的超高精度基准电压源 能隙基准电压源的ST≤3×10-6/℃，噪声电压UNpp≥20μV。对于高分辨率的A/D、D/A(16位以上)，仍感不足。以埋层齐纳管为参考的基准电压源的精度和稳定度有望更高。 普通齐纳管的击穿机理发生在硅晶体表面，如图31(a)所示，表面存在更多的杂质，易受机械压力和晶格错位等因素影响，导致击穿噪声大，长期稳定性不好。 图31 普通齐纳管和埋层齐纳管的击穿部位 (a)普通齐纳管；(b)埋层齐纳管 2. 调整管参数 (1)调整管最大允许电流ICM必须大于负载最大电流ILm。 (2)调整管最大允许功耗PCM必须大于调整管的实际最大功耗。当输入电压最大，而输出电压最小、负载电流最大时，调整管的实际功耗是最大的。 (3)调整管必须工作在线性放大区，其管压降一般不能小于3~4V, 确保其工作在放大区。 (4)如果单