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致谢
致谢
本人于2012年9月正式加入浙江大学光电系光及电磁波研究中心,在过去两年半的
时间里,我得到了许多老师、同学和亲人的鼓励和帮助,他们的帮助和关心使我的学习、
生活变得丰富多彩,在这里我要为他们奉上最真挚的感谢和赞美。
首先,我要向导师尹文言教授致以真诚的谢意。尹教授对科研工作的极高热情和从严
严谨的治学态度无时无刻不感染着我,他就算再忙也会抽出时间帮我对论文进行详尽细致
的修改,力争完善。记得当初研一下学期我和顾晓强在玉泉住着潮湿闷热寝室的时候,多
亏尹老师资助我们在紫金港翠柏宿舍阁楼上找到了暂时的栖身之所,真心感谢尹教授的帮
助。其次,我要感谢杭州电子科技大学的赵文生老师,赵老师不仅是我师兄而且是最直接
指导我的老师和合作伙伴。对于赵老师在过去时间里的帮助和关心,我的感激之情无以言
表。直到开始接受赵师兄的指点,我的科研才有了起色,正是师兄的指点和鼓励让我有了
继续做好科研的决心和勇气。
我要感谢我们的德育导师胡骏老师,胡骏老师在过去两年半时间里给我了很大的帮助。
每每在我遇到困难的时候胡骏老师都会想尽办法帮我,对此我深表谢意。同时我也要感谢
在同一实验室学习的同学们,如赵建尧、王向华、顾晓强、郑亭、王大伟、刘玉沙等,谢
谢你们的宽容和体谅,正因为有你们我平时才敢如此‘任性’。
感谢电磁波中心行政办公室的金巧玲、吴云霞和小邵,娴熟地帮我们处理好了很多曰
常事务,让我们能专心科研学习。同时,感谢光电信息工程学系的刘玉玲老师和冯萍老师
给予的帮助,尤其冯萍老师的鼓励让我受益终身。
在此我必须感谢我的家人,爸爸、妈妈和妹妹对我莫大的支持、鼓励和包容一直激励
着我不断进步,让我时刻充满信心迎接挑战。谨以此文献给我最深爱的家人。
张瑞
2015年03月10日于浙江大学
摘要
摘要
随着电路集成度的不断提高,传统硅基器件会出现较大的寄生电容和漏电流,从而剧
烈影响半导体器件的正常工作。与此同时,高密度导致的高温也会影响器件性能,这使得
基于硅材料的器件和电路已难以继续遵循传统的摩尔定律。另一方面,氮化镓材料所具有
的如击穿电压高、噪声系数优良和振荡频率高等独特优势,为军事、宇航和汽车等多领域
的应用提供了选择。无论是传统器件还是新型器件,它们的可靠性对下一代半导体产品的
开发已经变得愈发重要。本文涉及的内容主要集中在新型互连线、横向扩散金属氧化物半
导体晶体管和氮化镓高电子迁移率晶体管的可靠性。本文主要的工作和创新点总结如下:
首先,本文介绍了时域有限元方法,包括其基本原理、数学基础和实现步骤。同时还
介绍了本文所涉及与多物理场有关的偏微分方程。
然后,对铜.石墨烯异质互连线进行高频电学建模,得出其电学参数随互连线结构和
尺寸等参数的变化。在此基础之上,对多层高密度铜.石墨烯异质互连结构进行稳态和瞬
态仿真,分析和讨论了互连线阵列中温度分布和最高温度在不同静电脉冲激励下的变化规
律,研究了最高温度响应随石墨烯厚度的变化趋势。
接下来,本文对横向扩散金属氧化物半导体晶体管进行电.热.力仿真,得到了其最高
温度和最大应力在不同形式和幅值组合脉冲作用下的变化规律。
最后,本文对氮化镓高电子迁移率晶体管的热.力特性进行了分析,得到了温度和热
应力随耗散功率和晶体管指数等参数的变化规律。在此基础上,研究了金刚石散热材料对
氮化镓器件热管理能力的改善和对热应力的影响。本文旨在通过模拟仿真为器件的设计、
加工提供参考。
关键词:时域有限元方法、可靠性、铜.石墨烯互连线、静电脉冲、横向扩散金属氧
化物半导体晶体管、氮化镓高电子迁移率晶体管
III
Abstract
Withthecontinuous
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