电介质及其介电特性击穿.pptVIP

* 电子增殖过程： 阴极发射n0个电子，碰撞产生正离子，正离子撞击阴极表面产生ns个二次电子，则阴极表面发射ne=n0+ns个电子。 气体介质的电击穿 ne个电子经过 ? 作用到达阳极时增加为nee ? d 个电子，则有 nee ? d- ne个正离子回到阴极产生二次电子： * 自持放电条件： 气体介质的电击穿 则 当 时， 达到放电条件 故 为自持放电条件。 * 物理意义： 一个从阴极出发的初始电子到达阳极时，通过碰撞电离产生e?d 个电子、正离子；其中除第一个初始电子外的(e?d -1)个正离子回到阴极，通过?作用，产生出?(e?d -1) 个二次电子；当二次电子数最少为一个时，可代替初始电子的作用，继续不断从阴极发出电子—— 形成不依赖外界因素的初始电子，从而产生自持放电。 气体介质的电击穿 * 巴申定律： 在碰撞电离理论建立之前，巴申得到均匀电场中气体放电电压与气隙压力及气隙宽度间的实验关系。发现： （i）气隙放电电压UB与气压p和气隙宽度d的乘积（pd）有关，当p、d同时变化，而（pd）不变时，放电电压不变。 （ii）在某一（pd）值下，气隙放电电压出现最低值。 气体介质的电击穿 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 * 由自持放电条件， ?与p关系，及均匀电场条件 为什么附着电子性强的气体具有高耐压比？ 气体介质的电击穿 可得气隙放电电压： * 2.2 流注理论 适用于气隙初始放电（无初始电子），气隙较长，气压较高时的放电现象。 以Townsend 碰撞电离为基础，考虑了放电过程中的光现象，即光致电离对电离的发展起重要作用。 电子与正离子复合产生光发射。 电子崩头部离子数?108，最后形成很窄击穿通道。 气体介质的电击穿 * （1）阳极流注的形成 ① 初崩中部的光辐射作用在其崩头前方产生了二次崩。 ② 二次崩尾受初崩吸引汇入初崩，等离子区由阴极向阳极伸展。 气体介质的电击穿 ① 初崩接近阳极时，崩中部的光辐射作用在崩尾产生二次崩。 ② 初崩尾吸引二次崩头，汇入初崩，等离子区由阳极向阴极伸展。 （2）阴极流注的形成 * 流注形成的条件即为自持放电的条件： 放电过程将由于空间光电离而导致转入自持放电。 气体介质的电击穿 ①初崩内电荷密度足够大，使光电离强烈到可在初崩外部形成二次电子。 ②初崩的空间电荷电场足够强，以致能产生二次崩和吸引二次崩汇入初崩。 流注放电条件： 一般取 ，即 e?d ? 108时， * 2.3 不均匀电场中气体放电的极性效应（电晕放电） 不均匀电场中，放电在局部强电场区开始发生，电离的起始放电电压（电晕电压）低于气隙击穿电压。 负针尖时的气隙击穿电压高于正针尖时的气隙击穿电压。表现出明显的极性效应。 气体介质的电击穿 * 针尖尺寸与电晕放电脉冲 a） 空 气 中 电 晕 b） 油 中 电 晕 气体介质的电击穿 * 2.4 沿固体电介质表面气体放电 沿面放电（沿面滑闪或沿面闪络）：发生于气体与固体介质界面（即固体表面）的放电现象。 试验特点： 1）明显低于纯气隙的放电电压。 2）与固体介质表面状况密切相关，如湿、污。 3）与电压种类有关。冲击—高频—直流—50Hz。 4）与电极的布置，即电场的均匀度有关。 改善措施： 改善沿面电场分布，避免表面沾污，延长沿面距离。 气体介质的电击穿 XHP1-240耐污型绝缘子剖面图 XHP1-240耐污型绝缘子电场分布图 XHP1-240耐污型绝缘子电位分布图 * 实验观察结果： 正电极附近形成分枝状通道 负电极附近形成直通道 放电脉冲宽度随电压增加而增大 气体介质的电击穿 * 3. 固体介质的电击穿 固体介质的电击穿 实验特征： ① 击穿场强较高 108?109V/m。空气 ?106V/m ② 在一定温度范围内，介质击穿场强随温度升高而增大（或变化不大）， 固体介质与气体介质的区别： ① 组成固体的原子（离子、分子）不像在气体中那样作任意的布朗运动，而只能在自己的平衡位置附近作微小的热振动。 ② 固体原子的彼此接近，使分立电子能级变成能带，当满带电子获得足够能量穿越禁带时，发生电离，故禁带能量（宽度）相当于电子的电离能。 * 固体介质的电击穿 固体介质电击穿理论是在气体放电的碰撞电离理论基础上建立起来。 与气体中电子和分子等的碰撞类似的过程是固体中电子与晶格波的相互作用。 按击穿发生的判定条件不同，电击穿理论可分为两类： ① 以碰撞电离开始为判据——本征电击穿 ② 以电离开始，电子数倍增到一定数值，足以破坏介质绝缘状态为判据——“雪崩”击穿 * 固体介质的电击穿 3.1本征电击穿 击穿