半导体激光器实验.docxVIP

中国地质大学（武汉） 实验报告 课程名称：近代物理实验 实验名称：半导体激光器实验 学院： 班号：组号： 组员： 指导老师： 实验地点： 半导体激光器实验 一、实验目的 1、熟悉半导体激光器的光学特性 2、掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节 3、通过实验测量半导体激光器件的主要参数 二、实验原理 半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光的具体过程比较特殊。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。 半导体激光器具有体积小、效率高等优点，广泛应用于激光通信、印刷制版、光信息处理等方面。 1．半导体激光器的结构与工作原理 现以砷化镓（GaAs）激光器为例，介绍注入式同质结激光器的工作原理。半导体的能带结构。半导体材料多是晶体结构。当大量原子规则而紧密地结合成晶体时，晶体中那些价电子都处在晶体能带上。价电子所处的能带称价带（对应较低能量）。与价带最近的高能带称导带，能带之间的空域称为禁带。当加外电场时，价带中电子跃迁到导带中去，在导带中可以自由运动而起导电作用。同时，价带中失掉一个电子，则相当于出现一个带正电的空穴，这种空穴在外电场的作用下，也能起导电作用。因此，价带中空穴和导带中的电子都有导电作用，统称为载流子。掺杂半导体与P-N结。没有杂质的纯净半导体，称为本征半导体。如果在本征半导体中掺入杂质原子，则在导带之下和价带之上形成了杂质能级，分别称为施主能级和受主能级 有施主能级的半导体称为n型半导体；有受主能级的半导体称这P型半导体。在常温下，热能使N型半导体的大部分施主原子被离化，其中电子被激发到导带上，成为自由电子。而P型半导体的大部分受主原子则俘获了价带中的电子，在价带中形成空穴。因此，N型半导体主要由导带中的电子导电；P型半导体主要由价带中的空穴导电。 半导体激光器中所用半导体材料，掺杂浓度较大，N型杂质原子数一般为2～5×1018cm-1；P型为1～3×1019cm-1。 在一块半导体材料中，从P型区到N型区突然变化的区域称为P-N结。其交界面处将形成一空间电荷区。N型半导体带中电子要向P区扩散，而P型半导体价带中的空穴要向N区扩散。这样一来，结构附近的N型区由于是施主而带正电，结区附近的P型区由于是受主而带负电。在交界面处形成一个由N区指向P区的电场，称为自建电场。此电场会阻止电子和空穴的继续扩散（见图1）。 图 图1　自建电场的示意图 P-N结电注入激发机理。若在形成了P-N结的半导体材料上加上正向偏压，P区接正极，N区接负极。显然，正向电压的电场与P-N结的自建电场方向相反，它削弱了自建电场对晶体中电子扩散运动的阻碍作用，使N区中的自由电子在正向电压的作用下，又源源不断地通过P-N结向P区扩散，在结区内同时存在着大量导带中的电子和价带中的空穴时，它们将在注入区产生复合，当导带中的电子跃迁到价带时，多余的能量就以光的形式发射出来。这就是半导体场致发光的机理，这种自发复合的发光称为自发辐射。 要使P-N结产生激光，必须在结构内形成粒子反转分布状态，需使用重掺杂的半导体材料，要求注入P-N结的电流足够大（如30000A/cm2）。这样在P-N结的局部区域内，就能形成导带中的电子多于价带中空穴数的反转分布状态，从而产生受激复合辐射而发出激光。 图2　半导体激光器的结构图半导体激光器结构。如图2为结构图，其外形及大小与小功率半导体三极管差不多，仅在外壳上多一个激光输出窗口。夹着结区的P区与N区做成层状，结区厚为几十微米，面积约小于1mm 图2　半导体激光器的结构图 半导体激光器的光学谐振腔是利用与P-N结平面相垂直的自然解理面（110面）构成，它有35的反射率，已足以引起激光振荡。若需增加反射率可在晶面上镀一层二氧化硅，再镀一层金属银膜，可获得95％以上的反射率。 一旦半导体激光器上加上正向偏压时，在结区就发生粒子数反转而进行复合。 V－I V－I P－I 图3　半导体激光器的工作特性曲线 图3中给出了典型的半导体激光器的工作特性示意图，其中实现是输出光功率和工作电流的关系（实线）；图中的虚线是工作电压和工作电流的关系曲线（V-I曲线），它基本是由两段斜率不同的直线构成，一般LD在极小的电流状态下，电压已经较大了，所以一般测量时，只能看到第二段，第二段是LD的串联电阻（LD本身的电阻特性）的与通过LD的电流的结果。 (1)阈值电流（Ith） 当注入P-N结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，P-N结产生激光。影响阈