补充一高斯定理的微分形式.ppt

* 补充一：高斯定理的微分形式 1、电场的散度（divergence） S ?V P 电场在P点的散度定义为 为通过包围P点的封闭曲面S的电通量 其中 静电场是有源场，源头是电荷密度不为零的那些点。 2、高斯定理的微分形式 证明： Si ?Vi Pi S V 因V任意，则得高斯定理的微分形式 （积分形式） 3、散度的计算 x, y, z x y z ? z ? y ? x 梯度算符 高斯定理的微分形式可写成 证明：由斯托科斯公式 因域 S 任意，则 补充二：静电场环路定理的微分形式 L dS E S S 是以 L 为边界的任意曲面 静电场是有源、无旋场： 针对特定体系：边界S内只包围若干个静止导体，给定导体的几何形状、相互位置。 补充三： 静电场的唯一性定理 边界S 导体Ⅰ 导体Ⅱ 自由空间：E=? 此外，再给定哪些条件，边界S内自由空间的电场才能唯一确定？ 给定哪些边值条件，边界S内自由空间的电场才能唯一确定？ 一、静电边值问题 自由空间： 解出 ，由 求电场分布。 静电边值问题： 边值条件 （3）给定一些导体的电势和其余导体的电量。 （1）给定每一个导体的电势。 （2）给定每一个导体的电量。 给定边界S上的电势分布 ，或 ，再给定下列条件之一，S内静电场分布唯一确定 导体Ⅰ 导体Ⅱ 自由空间：E=? S 二、静电场的唯一性定理 就一般情况“给定一些导体的电势和其余导体的电量”证明。 假设存在两个解： 即电场的分布唯一确定。 如果能证明 则 ＋常数， 给定 或 给定 导体Ⅰ Ⅰ 导体Ⅱ 给定 Ⅱ 自由空间：E=? S 补充：静电场唯一性定理的证明 静电边值问题： 把导体Ⅱ的电荷条件变换成电势条件 其中 代表导体Ⅱ的外表面。 得电势条件： 静电边值问题改写成： 给定 或 给定 导体Ⅰ Ⅰ 导体Ⅱ 给定 Ⅱ 设存在两个解： 和 ，令 如果 ，则电场分布唯一。 1、先证明下式成立 其中 代表任意封闭面 包围的自由空间体积。 关于 的边值问题: （ 向外为正） 高斯定理（数学）： 设： 即得： 2、再证明 零 导体Ⅱ 导体Ⅰ V V 导体Ⅰ界面 导体Ⅱ界面 *