半导体器件讲义.ppt

1.3.1 三极管的结构及类型 图 1 – 29 三极管的结构示意图和符号 无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出三个电极：发射极（e)、基极(b)和集电极(c)。同时,在三个区的两两交界处, 形成两个PN结, 分别称为发射结和集电结。常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种三极管类型。它们对应的型号分别为：3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列。 1.3.2 三极管的三种连接方式 图 1 - 30 三极管的三种连接方式 1.3.3 三极管的放大作用 1. 载流子的传输过程 发射。 (2) 扩散和复合。 (3) 收集。 图 1 – 31 三极管中载流子的传输过程 2. 电流分配 图 1 - 32 三极管电流分配 集电极电流ＩＣ由两部分组成：ＩＣｎ和ＩＣＢＯ, 前者是由发射区发射的电子被集电极收集后形成的, 后者是由集电区和基区的少数载流子漂移运动形成的,称为反向饱和电流。 于是有  ＩＣ＝ＩＣｎ＋ＩＣＢＯ (1 - 6) 发射极电流ＩＥ也由两部分组成：ＩＥｎ和ＩＥｐ。ＩＥｎ为发射区发射的电子所形成的电流, ＩＥｐ是由基区向发射区扩散的空穴所形成的电流。因为发射区是重掺杂, 所以ＩＥｐ忽略不计, 即ＩＥ≈ＩＥｎ。ＩＥｎ又分成两部分, 主要部分是ＩＣｎ, 极少部分是ＩＢｎ。ＩＢｎ是电子在基区与空穴复合时所形成的电流, 基区空穴是由电源ＵＢＢ提供的,故它是基极电流的一部分。  基极电流ＩＢ是ＩＢｎ与ＩＣＢＯ之差： (1-7) (1-8) 发射区注入的电子绝大多数能够到达集电极, 形成集电极电流, 即要求ＩＣｎＩＢｎ。  通常用共基极直流电流放大系数衡量上述关系, 用α来表示, 其定义为 (1-9) 一般三极管的α值为0.97～0.99。将(１-９)式代入(１-６)式, 可得 (1-10) 通常ＩＣＩCBO, 可将ＩＣＢＯ忽略, 由上式可得出 (1-11) 三极管的三个极的电流满足节点电流定律, 即 将此式代入(1 - 10)式得 (1-12) 经过整理后得 令 β称为共发射极直流电流放大系数。当ICICBO时, β又可写成 (1-13) (1-14) 则 其中ICEO称为穿透电流, 即 一般三极管的β约为几十～几百。β太小, 管子的放大能力就差, 而β过大则管子不够稳定。 表1 - 3 三极管电流关系的一组典型数据 IB/mA -0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 IC/mA 0.001 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91 IE/mA 0 0.01 0.57 1.16 1.77 2.37 2.96 相应地, 将集电极电流与发射极电流的变化量之比, 定义为共基极交流电流放大系数, 即 故 显然β与β, α与α其意义是不同的, 但是在多数情况 下β≈β, α≈α。 例如, 从表１ - ３ 知, 在ＩＢ＝００３mA附近, 设ＩＢ由００２mA变为００４mA, 可求得 1.3.4 三极管的特性曲线 图 1 – 33 三极管共发射极特性曲线测试电路 1. 输入特性 当ＵＣＥ不变时, 输入回路中的电流ＩＢ与电压ＵＢＥ之间的关系曲线称为输入特性, 即 图 1 - 34 三极管的输入特性 2. 输出特性 当ＩＢ不变时, 输出回路中的电流ＩＣ与电压ＵＣＥ之间的关系曲线称为输出特性, 即 图 1 - 35 三极管的输出特性 (1) 截止区。 一般将ＩＢ≤０的区域称为截止区, 在图中为ＩＢ＝０的一条曲线的以下部分。此时ＩＣ也近似为零。由于各极电流都基本上等于零, 因而此时三极管没有放大作用。  其实ＩＢ＝０时, ＩＣ并不等于零, 而是等于穿透电流ICEO。 一般硅三极管的穿透电流小于１μA, 在特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。  当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, 则三极管处于截止状态。所以, 在截止区, 三极管的两个结均处于反向偏置状态。对ＮＰＮ三极管, ＵＢＥ＜０, ＵBC＜０。 (2) 放大区。 此时发射结正向运用, 集电结反向运用。 在曲线上是比较平坦的部分, 表示当ＩＢ一定时, ＩＣ的值基本上不随ＵCE而变化。在这个区域内,当基极电流