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2001-10-01 2001-10-01 华晶上华工艺简介 CSMC-HJ Mfg Department Pi Module Yu.Y.L. CSMC-HJ 目前的主要工艺 衬底材料的准备 硅片的大小根据其直径来确定：5 英寸(厚度为625±15um)、6英寸(厚度为675±20um) 硅片的掺杂类型和电阻率：N型（电阻率一般用4-7Ω.cm）、P 型（电阻率一般用15-25 Ω.cm） 衬底材料的准备（续） 硅片的晶向：MOS器件只选100，该晶向Si-SiO2界面电荷少，载流子具有高迁移率 - 高可靠性器件往往要求用外延片，其他的一般用抛光片 阱的形成 阱（Well or called Tub）的形成. 阱的作用是在一种掺杂类型的衬底上（N或P）可以制作两种器件(CMOS)。 根据原始衬底和阱的类型，CMOS工艺可以分为：P-well工艺、N-well工艺和Twin-well工艺。 评价阱的关键参数有：阱的结深（Xj）和阱电阻（Rs）. 阱的形成(续） 阱一般是通过离子注入和推阱过程形成的，通常推阱的时间较长且温度很高（1000℃）。 双阱的形成一般有两种方式，一种SiN自对准工艺，另外一种是通过N阱，P阱两次光刻形成，CMOS工艺中双阱工艺可以有效地减小闩锁效应。 隔离技术 隔离技术 ( Iso