实验一MOS管的基本特性.docVIP

实验一MOS管的基本特性 一、实验目的 1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法； 2、熟练掌握MOS管基本特性； 二、实验内容及要求 1、熟悉Hspice仿真工具； 2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V和5V时的输出特性曲线； 三、实验记录 pmos .TEMP25.0000 .optionabstol=1e-6reltol=1e-6postingold .libgd018.lTT *---VoltageSources--- vdds0dc=-1.8v vgsgs0 vdsdsdc=-0.9V *---InverterSubcircuit--- MpmosdgssPCHW=30UL=6U *---TransientAnalysis--- .dcvds0-1.8-0.01SWEEPvgs0-1.8-0.2 .printdcv(d)i(Mpmos) .end 仿真结果 修改宽长比（红色部分为修改部分） .TEMP25.0000 .optionabstol=1e-6reltol=1e-6postingold .libgd018.lTT *---VoltageSources--- vdds0dc=-1.8v vgsgs0 vdsdsdc=-0.9V *---InverterSubcircuit--- MpmosdgssPCHW=50UL=20U *---TransientAnalysis--- .dcvds0-1.8-0.01SWEEPvgs0-1.8-0.2 .printdcv(d)i(Mpmos) .end 在反相器中，宽长比会影响pmos管的上升时间，而宽长比决定于后级负载的大小，负载大时，宽长比就大，因此从宽长比的大小也和pmos的延时有关。 四、实验中遇到的问题和不足 对网表不熟悉，导致在修改网表是出现错误，对仿真过程也不太清楚，所以实验过程比较艰难。 五、实验总结和收获 在反相器中，宽长比会影响pmos管的上升时间，而宽长比决定于后级负载的大小，负载大时，宽长比就大，因此从宽长比的大小也和pmos的延时有关。 实验二CMOS反相器的SPICE分析 一、实验目的 1.研究宽长比对反相器的直流特性和交流特性的影响 2.研究环形振荡器的特性 二、实验记录 单个反相器 *ACAnalysisforRingOscillator(RO) .TEMP25.0000 .optionabstol=1e-6reltol=1e-6postingold .libgd018.lTT *---VoltageSources--- vddVDD0dc=1.8 ************************************************* *Wedontneedinputvoltagethistime *vinvi0PULSE(01.80ns0.5ns0.5ns5ns10ns) ************************************************* *---InverterSubcircuit--- Mpmos1vo1vi1VDDVDDPCHW=30UL=6U Mnmos1vo1vi1GNDGNDNCHW=30UL=6U *---TransientAnalysis--- .OPTIONS POST .icv(vi1)=0 .tran 0.01ns 1000ns .end 改变nmos的宽长比使得（W/L）p:(W/L)n=5:2,即完全对称 *ACAnalysisforRingOscillator(RO) .TEMP25.0000 .optionabstol=1e-6reltol=1e-6postingold .libgd018.lTT *---VoltageSources--- vddVDD0dc=1.8 ************************************************* *Wedontneedinputvoltagethistime *vinvi0PULSE(01.80ns0.5ns0.5ns5ns10ns) ************************************************* *---InverterSubcircuit--- Mpmos1vo1vi1VDDVDDPCHW=30UL=6U Mnmos1vo1vi1GNDGNDNCHW=20UL=10U *---TransientAnalysis--- .OPTIONS POST .icv(vi1)=0 .tran 0.01ns 1000ns .end 环形振荡器（5个反相器级联） *ACAnalysisforRingOsci