材料物理性能学之材料的电性能.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电位差计法 比较双臂电桥和电位差计法，当样品电阻随温度发生变化时，用电位差计法比双电桥法精度高，这是因为双电桥法在高温和低温电阻时，较长的阴线和接触电阻很难消除。电位差计法的优点在于导线或引线的电阻不影响电位差计的电势Vx和Vn的测量。精密电位差计可以测量0.1微伏的微小电势。 标准四电极法 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.2.2 离子电导与扩散 离子的尺寸和质量都比电子要大得多，在固体体系中其运动方式是从一个平衡位置（势阱）到另一个平衡位置（势阱）。从另外一个角度看，可以认为离子导电是离子在电场作用下的扩散现象。由Nernst-Einstein方程描述。 离子导电的影响因素 1）温度的影响：从前面的公式可以看出，温度是以指数的形式影响其电导率。 低温时，杂质导电；高温时，本征导电。 Lnσ-T-1的曲线拐点的含义： 1/ 离子导电机制发生变化； 2/ 导电载流子种类发生变化。 2）离子性质、晶体结构的影响： 离子不同、晶格结构不同都会导致离子导电的激活能不同，（离子要想导电必须激活后才可以）。熔点高的晶体如金刚石、离子化合物等，它们的原子间键合力大，相应的导电激活能就高，电导率就低。 例如： NaF NaCl NaI 216 169 118 (kJ/mol) 一价正离子尺寸小，电荷少，活化能低；高价则键合强，激活能高，电导率小。 晶格结构的影响是提供有利还是不利的离子移动“通路”。离子在晶格间隙大的体系中容易移动。 不同尺寸的二价离子在20Na2O·20MO·60SiO2对体系电阻率的影响。 虚线为：20Na2O·80SiO2 的电阻率 2.2.3 快离子导体 快离子导体的一般特征：具有离子导电的固体物质称为固体电解质。有些固体电解质的电导率比正常离子化合物的电导率高几个数量级，称为快离子导体或最佳离子导体或超离子导体。 1/ Ag和Cu的卤族和硫族化合物，这些物质里金属原子键合位置相对随意； 2/ 具有β-氧化铝结构的高迁移率的单价阳离子氧化物； 3/ 具有CaF结构的高浓度缺陷氧化物如：CaO·ZrO2等。 2.3 半导体材料 带隙较小的‘绝缘体材料’，在室温时会有热激发到导带的电子参与导电，同时价带留下的空穴也参与导电。空穴导电的本质依然是电子的运动。 满带电子不导电，要想导电就要有非满带。 要么就不是电子机制的导电。 参考书：《固体物理简明教程》，蒋平，徐至中 编著， 复旦大学出版社，2000年9月。 绝缘体： insulator 半导体： semi-conductor 导体： conductor 超导体： super-conductor **************************************** 能隙： gap 费米能级： Fermi level 空穴： hole 正(负)电荷： positive (negative) charge 晶体管： transistor 二极管： diode 一提到半导体，就离不开晶体管。‘管’这个概念是从电子管借过来用的，现在的半导体元件管状的不多见，尤其集成电路中。 晶体管 晶体管的发明 肖克莱、巴丁、布拉顿（美国）贝尔实验室，1948年6月正式申请专利。 BARDEEN, John 1908 (Madison, Wisconsin, USA)- 1991; Contribution to the understanding of electrical conductivity in semiconductors and metals and co-invention of the transistor; The Nobel Prize in Physics 1956 (transistor) and 1972 (superconductors). 各自的布里渊区 是什么？ 本征半导体 就是纯净的半导体，是对应掺杂而言的。 半导体中载流子数量的计算（0k时有吗？） 费米能级的位置 本征半导体的激发（光激发和热激发） 处在基态和激发态的半导体 本征半导体的掺杂——类氢模型 多子是什么？ 典型代表有？ 注意正负离子是 不会移动的，只