激光和固体的量子理论教学课件.ppt

2、杂质半导体 ——含有少量杂质的半导体 （1）n 型导体（施主杂质半导体） 在纯净半导中掺入少量可提供导电电子的杂质所形成的半导体。 例如在四价锗（Ge）元素半导体中掺入五价砷（As）所形成的半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Ge As As +5 +5 掺入As以后，五个价电 子中，有四个电子与周 围的Ge组成共价键晶体 ，还多余一个电子，此 电子处于特殊的能级。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Ge AS AS +5 +5 掺入AS以后，五个 价电子中，有四个电子 与周围的Ge组成共价键 晶体，还多余一个电子， 此电子处于特殊的能级。 满带 空带 施主能级 能带结构： 理论证明:掺入这种杂质后电子处于靠近空带下沿处的一个能级中(“施主能级”) 施主能级与上空带下能级的能级间隔称“施主杂质电离 能”( ) 这种杂质可提 供导电电子故 称为施主杂质 满带 空带 导电机制： 施主能级 由于 较小,施主能级中的电子很容易激发到空带而在施主能级上留下不可移动的空穴.此称“杂质激发”,当然也存在本征激发。 总之,跃入空带中的电子数等于满带及施主能级中