集成电教材资料路工艺原理 未来趋势跟挑战.pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 为什么“光刻”技术如此成功? 光刻基本要求 适用于小批量制备/制造的纳米级“光刻” 电子束曝光，EBL：Electron-Beam Litho 纳米压印， NIL：Nano-Imprint Litho “侧墙转移”，STL：Sidewall-Transfer Litho EBL的特征和优点 EBL的分辨率 EBL分辨率的提高 NIL工艺流程和特征 FinFET produced using STL twice Summary Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si Si0.2Ge0.8 SiN SiN STL的工艺流程，3 Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si SiN Resist STL的工艺流程，4 Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si SiN Resist STL的工艺流程，5 Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si SiN Resist STL的工艺流程，6 Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si STL的工艺流程，7 Si