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信号的种类及其对应的标准(个人整理) ?(2012-06-17 20:45:30) 标签：? \t /s/_blank 信号 ? \t /s/_blank 种类 ? \t /s/_blank 标准 ? \t /s/_blank ttl ? \t /s/_blank cmos ? \t /s/_blank lvttl ? \t /s/_blank ecl ? \t /s/_blank lvds ? \t /s/_blank cml 分类：? \t /s/_blank 硬件类 ?一.TTL 1.定义 全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路。TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑1，0V等价于逻辑0，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术,TTL电路是电流控制器件。TTL输出高电平2.4V，输出低电平0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平=2.0V，输入低电平=0.8V，噪声容限是0.4V。 2.功耗 TTL门电路的功耗比较大，约为十毫瓦，在输出信号发生跳变时，TTL门电路会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。 3.速度 TTL门门电路的速度较高，高于CMOS门电路，影响TTL门电路工作速度的因素是电路内部管子的开关特性，电路结构及内部的各电阻阻值。电阻数值越大，工作速度越低，管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有传输的时延TPD,假设空载的功耗为P，则速度-功耗积=TPD*P,这是器件性能的一个重要的指标，其值越小则表明其器件的性能越好 4.其他 TTL门电路中输入端负载特性：悬空时相当于输入端接高电平。因为这是可以看做是输入端接一个无穷大的电阻；在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出现的是高电平而不是低电平。因为TTL门电路的输出段负载特性，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。 电路 ?非门： 当A输入低电平，晶体管T工作于截止区，T关断，L输出高电平，负载电流从VCC流到RC再到负载最后流入地，负载流过RC将产生压降，使电路输出高电平电压下降，所以要获得理想的负载特性，RC越小越好； 当A输入高电平，晶体管T工作在饱和区，负载电流和RC上的电流同时流入T的集电极，使输出低电平电压上升，为了减少RC的电流，RC越大越好。 与非门： ?二.CMOS 1.定义：CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，场效应管就是有这种材料做成，所以CMOS电路一般由场效应管构成。在CMOS电路中，1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V，一般来说，Vcc：5V；VOH=4.45V；VOL=0.5V；VIH=3.5V；VIL=1.5V。CMOS的逻辑电平范围比较大（5—15V），抗干扰性强，具有很宽的噪声容限。与TTL电路不同，CMOS电路是电压控制器件。 2.功耗 CMOS门电路的功耗很低，其静态功耗约为几十纳瓦。CMOS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片就越热。CMOS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，否则电流一直在增大，这种现象就是锁定效应。当产生锁定效应时，CMOS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。 3.速度 与TTL电路不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL, CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒，这个速度比TTL电路慢 4.其他 CMOS电路是电压控制器件，它的输入阻抗很大，对信号的捕捉能力很强，所以，不用的管教不能悬空，要接上上拉电阻或下拉电阻给它一个稳定的电平，当接长信号传输线时，在CMOS电路端接匹配电阻。 5.电路?非门： Vi=0时：VGSn=0，VGSp=-VDD?，P管导通，n管截止VO=1=VDD；Vi=1时：VGSn=Vi，VGSp=0 ? n管导通，p管截止 ? VO=0（=0V） 与非门： 或非门： LVTTL LVTTL： (Low Voltage TTL)，低电平式晶体管-晶体管逻辑电路。顾名思义，就是以低电平驱动的TTL电路。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。3.3V LVTTL： Vcc：3.3V；